TSMC wird seine Foundry-Services für die Fertigung von Komponenten aus Galliumnitrid (GaN) über die kommenden zwei Jahre aufgrund der Marktentwicklung auslaufen lassen.
Der strategische Ausstieg werde sich aber laut TSMC auf die zuvor angekündigten Finanzziele nicht auswirken. Das Unternehmen geht davon aus, den Umsatz bis 2025 voraussichtlich um 24 bis 26 Prozent steigern zu können.
Laut anue liegt die derzeitige monatliche Produktionsmenge von TSMC für GaN bei 3.000 bis 4.000 Wafern, wobei Navitas Semiconductor und Ancora Semi zu den Hauptkunden zählen – Navitas ist dabei der größte Kunde und macht mehr als die Hälfte des GaN-Volumens von TSMC aus.
Auf die Ankündigung von TSMC hin wird Navitas die Produktion zum ebenfalls taiwanesischen Foundry-Unternehmen Powerchip Semiconductor (PSMC) verlagern: Powerchip werde künftig das eigene GaN-Portfolio mit Nennleistungen von 100 V bis 650 V herstellen und damit die wachsende Nachfrage von Hyperscale-Rechenzentren für künstliche Intelligenz und Elektrofahrzeugen bedienen.
Die Qualifizierung der ersten Komponenten wird für das vierte Quartal dieses Jahres erwartet. Die 100-V-Familie soll in der ersten Hälfte des nächsten Jahres bei Powerchip in Produktion gehen und die 650-V-Produkte sollen in den nächsten 12 bis 24 Monaten von TSMC zu Powerchip wechseln.
Der Grund warum Navitas künftig PSMC als Foundry nutzt und nicht die TSMC-Tochter VIS liegt in der Fertigungstechnik: Sowohl TSMC als auch PSMC setzen auf die einfachere und kostengünstigere GaN-on-Silicon (GaN-on-Si)-Technologie, während TSMC-Tochter VIS der komplexeren und teureren GaN-on-QST-Technologie den Vorzug gibt. Navitas hat sich laut Trendforce für die Partnerschaft mit PSMC entschieden, um die Integration reibungslos zu gestalten und kostgeneffizient fertigen zu können.
TSMC hat die GaN-Produkte bisher in Fab 5 in Hsinchu gefertigt, ab dem 1. Juli 2025 soll die Fab 5 für Advanced-Packaging-Prozesse genutzt werden. Damit reagiere TSMC laut Trendforce auf den steigenden Bedarf an CoWoS-, Wafer-on-Wafer (WoW)- und Wafer-Level System Integration (WLSI)-Technologien.
Von der Commercial Times zitierte Branchenanalysten wiesen zudem auf den steigenden Preisdruck durch chinesische Wettbewerber als einen weiteren wichtigen Faktor für die Entscheidung von TSMC hin. Anstatt sich auf einen Preiskampf einzulassen, habe TSMC sich angesichts des begrenzten Umfangs und der geringen Rentabilität der GaN-Produktion für einen strategischen Ausstieg entschieden.
Der Schritt von TSMC kam unerwartet, weil der Chiphersteller in seinem Jahresbericht erklärt hatte, dass er GaN-Chips der zweiten Generation mit 650 V und 100 V entwickelt habe, deren Produktion noch in diesem Jahr beginnen soll, während er einen 8-Zoll-Transistor mit 650 V und verbesserter Elektronenbeweglichkeit entwickelt, dessen Produktion für nächstes Jahr geplant ist.