Für die Automobilindustrie

Rohm und TSMC arbeiten bei GaN-Technologie noch enger zusammen

13. Dezember 2024, 7:47 Uhr | Iris Stroh
© ROHM Semiconductor

Rohm ist mit TSMC eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von GaN-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen.

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Die Partnerschaft sieht vor, dass Rohms Technologie zur Entwicklung von Bauelementen mit der GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie von TSMC kombiniert wird. Damit soll die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden. Die jetzt erweiterte Partnerschaft baut auf der bestehenden Zusammenarbeit von Rohm und TSMC bei GaN-Leistungsbauelementen auf. Im Jahr 2023 führte Rohm die 650-V-GaN-HEMT- (High-Electron Mobility Transistors) Technologie von TSMC ein.

»GaN-Bauelemente, die für den Hochfrequenzbetrieb geeignet sind, werden mit Spannung erwartet, da sie zur Miniaturisierung und Energieeinsparung beitragen und so umweltfreundliche Prozesse fördern. Für die Umsetzung dieser Innovationen in der Gesellschaft sind zuverlässige Partner unerlässlich. Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit TSMC, einem Unternehmen, das über eine weltweit führende fortschrittliche Fertigungstechnologie verfügt«, so Katsumi Azuma, Mitglied des Vorstands und Senior Managing Executive Officer bei Rohm. »Zusätzlich zu dieser Partnerschaft möchten wir die Einführung von GaN in der Automobilindustrie fördern, indem wir benutzerfreundliche Lösungen mit Steuer-ICs zur Maximierung der GaN-Leistung bereitstellen.«

»Während wir die nächsten Generationen unserer GaN-Prozesstechnologie weiterentwickeln, erweitern TSMC und ROHM ihre Partnerschaft auf die Entwicklung und Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für Automobilanwendungen«, so Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development bei TSMC. »Durch die Kombination von TSMCs Expertise in der Halbleiterfertigung mit Rohms Kompetenz im Design von Leistungsbauelementen wollen wir die Grenzen der GaN-Technologie und ihrer Implementierung für EVs erweitern.«


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