1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich
Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig
Fortsetzung des Artikels von Teil 2
Das Board im Test
Das AUX-Evaluierungs-Board wurde bei drei verschiedenen Gleichspannungen am Eingang (300 V, 600 V und 900 V) getestet. In allen drei Fällen wurde die Ausgangsleistung zwischen Null und der Nennleistung von 40 W variiert. Bei 300 V Eingangsspannung sprach bei einer Ausgangsleistung von mehr als 30 W der Überlastungsschutz an. Die Wirkungsgradkurven sind in Bild 4 dargestellt.
Bei Uin=300 V wird ein Wirkungsgrad von 87 % erreicht. Je höher die Eingangsspannung ist, desto größer ist die Verlustleistung an den Widerstandsteilern in der Schaltung. Aus diesem Grund geht der Wirkungsgrad mit wachsender Eingangsspannung geringfügig zurück. Dennoch liegt die Effizienz bei den meisten Lastbedingungen über 80 %. Da als maximale Gehäusetemperatur des SiC-MOSFET ein Wert von 80 °C verzeichnet wurde, war für diesen Baustein während der gesamten Messungen kein Kühlkörper erforderlich.
Literatur
Datenblatt des BD768xFJ-LB. rohmfs.rohm.com/en/products/databook/datasheet/ic/power/isolated_converter/bd7682fj-lb-e.pdf
Die Autoren
Walter Balzarotti ist Senior Field Application Engineer bei der Rohm Semiconductor GmbH. Er arbeitet bereits seit einigen Jahren als Senior Field Application Engineer in der Halbleiterindustrie und betreute eine große Anzahl von Projekten im Power Management. Seine Expertise reicht von der LED-Stromversorgung bis hin zu Stromwandlern im Hochspannungsbereich.
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Dr. Vladimir Scarpa ist Application Engineer Power bei der Rohm Semiconductor GmbH. Seine Hauptinteresse ist der Einsatz von Leistungshalbleitern in industriellen Systemen wie beispielswiese Solar-Invertern, USVs und Batterieladegeräten.
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