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Leistungsmodule mit höherer Effizienz und Leistungsdichte

7. März 2024, 6:06 Uhr | Iris Stroh
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Die SPM31 Intelligent Power Modules (IPM) von onsemi erlauben eine effizientere Energieumwandlung und bessere Performanz für Dreiphasenwechselrichter-Antriebsanwendungen.

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Die 1.200V SPM31 Intelligent Power Modules (IPMs) von onsemi sind mit der neuesten Generation von FS7-IGBTs (FS7: Field Stop 7) ausgestattet. Sie bieten durch ihre höhere Effizienz und Leistungsdichte bei geringerem Platzbedarf, niedrigere Gesamtsystemkosten als konkurrierende Varianten auf dem Markt. Aufgrund ihres höheren Wirkungsgrades durch die optimierten IGBTs, sind die IPMs ideal für Dreiphasenwechselrichter-Anwendungen wie Wärmepumpen, kommerzielle Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen sowie Pumpen und Lüfter in der Industrie.

Die SPM31 IPMs steuern Inverterverdichter in Wärmepumpen und Klimaanlagen, indem sie Frequenz und Spannung am Eingang der Drehstrommotoren für maximale Effizienz anpassen. So kann onsemis 25A-rated SPM31 beispielsweise im Vergleich zu Produkten früherer Generationen durch die Nutzung der FS7 Technologie Leistungsverluste um bis zu 10 Prozent verringern und die Leistungsdichte um bis zu 9 Prozent erhöhen. Mit dem Übergang zur Elektrifizierung und den erhöhten Effizienzanforderungen helfen diese Module den Herstellern, das Systemdesign drastisch zu verbessern und gleichzeitig die Effizienz von Heiz- und Kühlanwendungen zu erhöhen. Dank der verbesserten Leistung ermöglichen onsemis neue FS7 IPMs einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Energieverlusten und unterstützen dadurch die Reduzierung der weltweiten Schadstoffemissionen.

Die hochintegrierten Module enthalten neben der FS7 IGBTs Gate-Treiber-ICs und mehrere Schutzfunktionen auf dem Modul, die laut Unternehmensangabe branchenführende thermische Leistung ermöglichen und Ströme im Bereich von 15 A bis 35 A unterstützen. Mit ihrer erstklassigen Leistungsdichte sind die SPM31 FS7 IGBT IPMs die ideale Antwort, um Bauraum einzusparen, die Leistungserwartung zu verbessern und gleichzeitig die Entwicklungszeit zu verkürzen. Darüber hinaus bieten sie die folgenden Vorteile:

  • Verlustarme, kurzschlussfeste IGBTs
  • Für jede Phase verfügbare, separate negative IGBT-Anschlüsse, um eine Vielzahl von Steuerungsalgorithmen zu unterstützen
  • Eingebauter Unterspannungsschutz (Under-Voltage Protection; UVP)
  • Eingebaute Bootstrap-Dioden und -Widerstände
  • Eingebauter integrierter Hochspannungs-Hochgeschwindigkeitsschaltkreis
  • Einfach geerdete Stromversorgung

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