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Vom Wafer bis zum SiC-Modul

SiC-Komponenten zu erschwinglichen Kosten


Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Die Supply Chain im eigenen Haus bringt Liefersicherheit

Außerdem legt er Wert darauf, dass SemiQ mit der hohen Fertigungstiefe eine verlässliche Bezugsquelle für die Kunden ist. Das beginnt schon mit der eigenen Wafer-Fertigung für 650-, 1200- und 1700-V-Koponenten auf Scheiben mit Durchmessern von 150 und 100 mm. Daneben fertigt das Unternehmen Wafer mit dicken Epi-Schichten, die für Dioden mit Durchbruchspannungen bis 10 kV infrage kommen. Auch die SiC-Epi-Wafer produziert SemiQ nicht nur für den eigenen Bedarf, sondern verkauft sie auch auf dem freien Markt.

Außerdem hat SemiQ mit einer Wafer Fab in Lochgelly/Schottland einen exklusiven Vertrag geschlossen. Die ehemals zu Raytheon gehörende Fab arbeitet jetzt unter dem Namen Clas-SiC Wafer Fab und ist die weltweit erste Pure-Play Foundry für die Fertigung von SiC-Komponenten. Aufsichtsratsvorsitzender ist Carl Johnson, der 1971 das Unternehmen II-VI-Inc. gegründet hatte, als Pionier auf dem Gebiet der II-VI-Halbleiter gilt und auch der Vorsitzende des Aufsichtsrats von SemiQ ist. »Deshalb können wir auch in Zeiten der Allokation dafür sorgen, dass wir unsere Kunden pünktlich beliefern, was ihnen die erforderliche Planbarkeit gibt«, freut sich Hodge.

Auf die Langlebigkeit der Komponenten fokussiert

Ebenso wie SemiQ in ihrer eigenen Fab verarbeitet Clas-SiC Wafer Fab 150-mm-Wafer. Will SemiQ in absehbarer Zeit auf 200-mm-Wafer übergehen? »Nach unserem Plan soll es 2026 soweit sein«, erklärt Hodge. Allerdings werde die Fertigung auf 150-mm-Wafern noch sehr lange weiter bestehen bleiben: »Unterhalb eines Alters von 20 Jahren werden wir keine Komponente abkündigen. Denn wir produzieren für Märkte, auf denen es vorwiegend darauf ankommt, Produkte anzubieten, die über viele Jahre zur Verfügung stehen.« Der Automotive-Markt und der Energiesektor sind dafür nur zwei Beispiele.

Was für ihn vor allem wichtig ist: »Unsere eigene Wafer-Fertigung öffnet uns die Tür zu den Kunden, die SiC-Komponenten in hohen Stückzahlen benötigen. Denn weil wir sie selber fertigen und zusätzlich noch verlässliche Zulieferer haben, fühlen sie sich zurecht sicher.« Über die gesamte Wertschöpfungskette die Kontrolle zu haben ist also nicht nur aus technischen Gründen wichtig. Es führt gerade auf dem SiC-Markt dazu, den Kunden eine verlässliche Versorgung gewährleisten zu können.

Stabile Finanzierung – Übernahme unerwünscht

Der zweite Faktor, der Hodge gelassen in die Zukunft blicken lässt: »Im Vergleich zu anderen Startups sind wir ausgesprochen stabil finanziert. Wir wollen und können eine langfristige Strategie verfolgen, der Verkauf des Unternehmens ist keine Option für SemiQ.« Interessant ist in diesem Zusammenhang auch, dass 35 Prozent der

Firmenanteile in Besitz der Mitarbeiter sind.

Und was ist für die Zukunft auf der technischen Ebene geplant? Für einen Hersteller von SiC-Komponenten nicht gerade überraschend: die Stromdichte der Module zu erhöhen, den Spannungsbereich zu erweitern, den RDSon zu senken. Auch hier ist Hodge optimistisch: »Unsere MOSFETs haben schon jetzt den niedrigsten RDSon am Markt.« Und das zu für die Kunden interessanten Preisen: »Andere sind teurer, in diese Kerbe wollen wir kräftig schlagen!«

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SiC-Schottky Diode Module
© SemiQ

SemiQ – eine bewegte Geschichte
2014 startete Global Power Devices mit der Entwicklung von SiC-Dioden auf 4-Zoll-Wafern in einer Fab von Raytheon. 2014 schloss sich Global Power Devices mit zwei weiteren Unternehmen unter demselben Investor zusammen. Erstens mit der 2008 gegründeten Global Power Electronics, die sich auf die Leistungswandlung, Magnete und das Packaging für Leistungshalbleiter fokussiert hatte. Zweitens mit Power Materials, die 2012 gegründet wurde und einen Epi-Reaktor für die Fertigung von SiC-Wafern installiert hatte.

Der neue Namen des Unternehmens: Global Power Technologies Group (GPTG). 2015 brachte GPTG die erste Generation der 1200-V-SiC-Dioden auf den Markt, die in der 4-Zoll-Foundry von Raytheon in Schottland gefertigt wurden. 2016 folgte die zweite SiC-Dioden-Generation. Doch dann kündigte Raytheon an, die SiC-Foundry-Aktivitäten in Schottland schließen zu wollen. Die Aktivitäten wurden dort im neuen Unternehmen Clas-SiC Wafer Fab weitergeführt, die mit GPTG eng zusammenarbeitet.

Im August 2016 folgte die dritte Generation der SiC-Dioden, die GPTG auf der 6-Zoll-Linie von X-Fab fertigen lässt. Im selben Jahr brachte GPTG die ersten SiC-MOSFETs auf den Markt, die ebenfalls X-Fab auf der 6-Zoll-Linie produziert. Im November 2019 benannte sich GPTG in SemiQ um und verfügt heute über eine völlig redundante SiC-Lieferkette mit zwei Wafer-Fabs, die für das Unternehmen fertigen.


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