Vishay
MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen
3. September 2024, 7:24 Uhr |
Engelbert Hopf
Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3 erhältlich.
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Diese Hochleistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen Einschaltwiderstand von nur 0,17 Ohm und eine geringe Eingangskapazität von 1.080 pF aus. Darüber hinaus warten sie mit reduzierten Schalt- und Leistungsverlusten auf. Zu ihren weiteren Features gehört eine niedrige effektive Ausgangskapazität von 39 pF und ein niedriger Figure-of-Merit. Besonders geeignet sind diese MOSFET-Treiber für Hochtemperaturanwendungen etwa in Schaltnetzteilen, Batterieladegeräten, PV Invertern oder auch Leuchtstofflampen mit Vorschaltgeräten.
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