SiC-Leistungshalbleiter werden attraktiv für den Massenmarkt. Durch einfachere Topologien werden sie konkurrenzfähig für die Leistungsumwandlung bei dreiphasigen AC/DC-System. Eine Beispielapplikation zeigt die Vorteile von SiC.
Viele Industrieanwendungen benötigen eine netzgekoppelte AC/DC- (oder DC/AC-)Leistungsumwandlung – von leistungselektronischen Schnittstellen für Anlagen im Bereich der erneuerbaren Energien (Solar, Wind und Batteriespeicher) über die Aufladung von Nutz- und Massentransport-Fahrzeugen bis hin zu regenerativen Motorantrieben (Aufzüge und Mühlen). Solche Systeme werden für ein Quellen-/Senken-Gefälle des AC-Stroms mit einer Total Harmonic Distortion (THDI) von unter fünf Prozent konzipiert, um die Regulierungsvorgaben zu erfüllen.
Ein praktisches Beispiel für ein dreiphasiges, netzgekoppeltes AC/DC-System sind zum Beispiel Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge. Bild 1 zeigt ein Funktionsblockschaltbild eines dreiphasigen, externen Schnellladegeräts für batterieelektrisch betriebene Fahrzeuge (BEVs).
Mit den bekannten Leistungshalbleiter- und AC/DC-Wandler-Schaltungstopologien ist der Preis-Leistungs-Spielraum bei diesem aktiven Front-End- oder aktiven PFC-System begrenzt. Bei bidirektionalen Anwendungen werden üblicherweise zweistufige Topologien mit 1200-V-IGBTs, dreistufige Topologien mit Super-Junction-FETs oder schnelle 650-V-IGBTs verwendet. Zweistufige Topologien mit 1200-V-IGBTs ermöglichen ein einfaches Layout, niedrige Halbleiterkosten und eine hohe Leistung (>20 kW), aber die Schaltfrequenz ist auf weniger als 20 kHz begrenzt, was zu Systemen mit niedriger Leistungsdichte, geringer Effizienz und kostspieligen Induktivitäten führt.
Mehrstufige Topologien wie der NPC- (Neutral Point Clamped) Gleichrichter bieten eine höhere Leistungsdichte und Effizienz, das heißt niedrigere Schaltverluste zu Lasten einer höheren Schaltungskomplexität und höherer Kosten. Bild 2 zeigt eine zweistufige IGBT- und eine dreistufige NPC-Gleichrichter-Topologie.
Bei unidirektionalen PFC-Anwendungen bieten Topologien wie der Vienna-Silizium-Gleichrichter einen guten Kompromiss zwischen Kosten, Effizienz, Leistungsdichte und Komplexität. Studien haben gezeigt, dass der Vienna-Gleichrichter dem zweistufigen 6-Schalter-IGBT-basierten PFC bei fsw > 16 kHz aufgrund der höheren IGBT-Schaltverluste überlegen ist.
Der Wunsch nach immer höherer Effizienz, höherer Leistungsdichte, niedrigeren Kosten und Bidirektionalität führt zu erheblichen Herausforderungen, wenn weiterhin Silizium in traditionellen Schaltungsansätzen verwendet werden soll. Im Vergleich zu 1200-V-IGBTs lassen sich mit SiC-MOSFETs die Schaltverluste drastisch senken. Außerdem wird der Schaltfrequenzbereich des zweistufigen 6-Schalter-PFC-Gleichrichters erheblich erweitert und höhere Volllast- und Teillasteffizienz ermöglicht. Zusätzlich kann bei SiC-MOSFETs die Body-Diode des Bauelements als antiparallele Diode genutzt werden, was die Schaltungskomplexität und die Kosten verringert. In Bild 3 sind eine zweistufige SiC-MOSFET- und eine dreistufige Silizium-Vienna-Gleichrichter-Topologie dargestellt.
Entwickler können heute zwischen dem bekannten dreistufigen Silizium-Vienna-Gleichrichter für unidirektionale PFCs oder dem fortschrittlicheren SiC-MOSFET-basierten zweistufigen Gleichrichter für den uni- und bidirektionalen Ansatz wählen.
Im Folgenden wird ein kostengünstiges, effizientes Design für industrielle PFC-Anwendungen beschrieben, bei der das Design auf SiC-Leistungs-MOSFETs basiert, die bereits vollständig freigegeben und qualifiziert wurden und in großen Mengen hergestellt werden.
Parameter | Spezifikation |
---|---|
Pout | 20 kW |
Ugrid | 380 bis 480 VAC, RMS L-L |
fgrid | 50 bis 60 Hz |
Leistungsfaktor PF | > 0,95 |
THDI | < 5 % |
Ulink | 800 VDC |
Das Design erfüllt alle in Tabelle 1 aufgeführten System-Level-Spezifikationen. Das vorgeschlagene zweistufige SiC-System folgt der Leistungstopologie in Bild 3a und wird mit dem 6-Schalter-Vienna-Gleichrichter in Bild 3b verglichen.