Flash-Speicher
1 TB in einem Package für embedded UFS
Mit dem ersten 1 Terabyte embedded Universal-Flash-Speicher (eUFS) erreicht Samsung den nächsten Meilenstein – doppelte Kapazität bei gleicher Baugröße. Er basiert auf Samsungs V-NAND-Technik der fünften Generation.
Den Start der Massenproduktion des ersten embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 mit 1 Terabyte (TB) für mobile Anwendungen der nächsten Generation meldet Samsung Electronics. Nur vier Jahre nach der Einführung der ersten UFS-Bausteine, dem 128 GB eUFS, hat Samsung die mit Spannung beobachtete Terabyte-Schwelle für Smartphone-Speicher erreicht. Smartphone-Enthusiasten werden bald die Möglichkeit haben, eine Speicherkapazität zu nutzen, die mit einem Premium-Notebook-PC vergleichbar ist, ohne dass sie ihre Telefone mit zusätzlichen Speicherkarten verbinden müssen.
Innerhalb der gleichen Gehäusegröße (11,5 mm × 13,0 mm) verdoppelt der 1-TB-eUFS-Baustein die Kapazität der vorherigen 512 GB-Version, indem sie 16 gestapelte Schichten des fortschrittlichsten 512-Gbit-V-NAND-Flash-Speichers von Samsung und einen neu entwickelten, proprietären Controller kombiniert.
Der 1 TB eUFS verfügt zudem über eine außergewöhnliche Geschwindigkeit, die es den Nutzern ermöglicht, große Mengen an Multimedia-Inhalten in deutlich kürzerer Zeit zu übertragen. Mit bis zu 1.000 MB/s bietet das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit gegenüber einem typischen 2,5-Zoll-SATA-Solid-State-Laufwerk (SSD). Das bedeutet, dass 5 GB große Full-HD-Videos in nur fünf Sekunden auf eine NVMe SSD geladen werden können, was der zehnfachen Geschwindigkeit einer typischen microSD-Karte entspricht.
Darüber hinaus hat sich die zufällige Lesegeschwindigkeit gegenüber der 512-GB-Version um bis zu 38 Prozent erhöht und liegt bei bis zu 58.000 IOPS (Input/Output operations Per Second). Zufällige Schreibvorgänge sind 500 mal schneller als bei einer leistungsstarken microSD-Karte (100 IOPS) und erreichen bis zu 50.000 IOPS. Der Speicher ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Serienaufnahmen mit 960 Bildern pro Sekunde und ermöglicht es Smartphone-Benutzern, die Vorteile der Multikamerafunktionen in den heutigen und zukünftigen Flaggschiffmodellen voll auszuschöpfen.
Samsung plant, die Produktion seiner fünften Generation 512-Gbit-V-NAND in seinem Werk in Pyeongtaek in Korea im Laufe des ersten Halbjahres 2019 auszuweiten, um der erwarteten starken Nachfrage nach den 1TB eUFS von Herstellern mobiler Geräte auf der ganzen Welt gerecht zu werden.
»Es wird erwartet, dass die 1 TB eUFS eine entscheidende Rolle dabei spielen werden, der nächsten Generation mobiler Geräte ein Notebook-ähnliches Benutzererlebnis zu bieten«, sagte Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics. »Darüber hinaus ist Samsung bestrebt, die zuverlässigste Lieferkette und angemessene Produktionsmengen zu gewährleisten, um die rechtzeitige Einführung der kommenden Flaggschiff-Smartphones zu unterstützen und das Wachstum des globalen Mobilfunkmarktes zu beschleunigen.«
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
