Neue 1200-V-IGBT-Generation von Infineon Erster Trenchstop-IGBT auf 300-mm-Wafer

Die neue 1200-V-IGBT-Generation ist für hart schaltende und resonante Topologien mit 15 bis 40 kHz ausgelegt.
Die neue 1200-V-IGBT-Generation ist für hart schaltende und resonante Topologien mit 15 bis 40 kHz ausgelegt.

Mit dem Trenchstop IGBT6 bringt Infineon eine neue 1200-V-IGBT-Generation auf den Markt. Als erster diskreter IGBT wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert.

Der Trenchstop IGBT6 erfüllt die hohen Anforderungen bezüglich Effizienz und Leistungsdichte, die aktuell von Leistungsschaltern gefordert werden. Infineon hat die neue IGBT-Generation für den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz optimiert.

Der Trenchstop IGBT6 ist in zwei Bauserien erhältlich. Die Leistungshalbleiterbausteine der Serie S6 zeichnen sich durch eine niedrige Sättigungsspannung von 1,85 V aus. Die Serie H6 ist ausgelegt für geringe Schaltverluste.

Zu den beiden Serien zählen Bausteine mit 15 A und 40 A im TO-247-3-Gehäuse, die wahlweise mit Halb- oder Freilaufdiode ausgestattet sind. Die 75-A-Variante mit Vollfreilaufdiode im TO-247Plus-Gehäuse mit 3 oder 4 Pins kann mit ihrer besonders hohen Stromdichte punkten.

Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerprodukts Highspeed3 durch den Trenchstop IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 %. Der positive Temperaturkoeffizient des IGBTs erlaubt eine einfache und zuverlässige Parallelisierung. Daneben erlaubt die gute Rg-Regelbarkeit eine Anpassung der IGBT-Schaltgeschwindigkeit an die Anforderungen der jeweiligen Applikation.

Typische Anwendungen für den IGBT6 sind unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Solarwechselrichter, Batterieladegeräte und Energiespeicher.