Alex Lidow, Efficient Power Conversion »Wir können Silizium-MOSFETs nun direkt attackieren!«

DESIGN&ELEKTRONIK editor Ralf Higgelke (left) met Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion (EPC), at PCIM Europe 2018.
DESIGN&ELEKTRONIK-Redakteur Ralf Higgelke (links) traf Alex Lidow, CEO von Efficient Power Conversion (EPC), auf der PCIM Europe 2018.

Vor 40 Jahren entwickelte Alex Lidow den Leistungs-MOSFET für International Rectifier. Als CEO von EPC will er nun Silizium durch Galliumnitrid ersetzen. Mit der neuesten Bauteilgeneration hat er einen großen Sprung gemacht. DESIGN&ELEKTRONIK sprach mit ihm darüber und wie er mit GaN in Kontakt kam.

DESIGN&ELEKTRONIK: Herr Lidow, wann haben Sie zum ersten Mal realisiert, welches Potential in Galliumnitrid steckt?

Alex Lidow: Im Jahr 2000 erfuhr ich von einer Gruppe von Wissenschaftlern in Japan, die herausgefunden hatte, wie man eine dünne Schicht Galliumnitrid auf einem Standard-Siliziumwafer aufwachsen lassen kann. Da ging bei mir sofort ein Licht auf. Ich wusste bereits von meiner Promotion Mitte der 1970-er Jahre, dass es beim Kristallwachstum von Verbindungshalbleitern immer ein Kostenproblem gab. Diese neue Epitaxieentwicklung löste dieses Problem.

In Ihrer Dissertation beschäftigten Sie sich ja mit Galliumarsenid.

Stimmt. Die Herausforderung bei Wide-Bandgap-Halbleitern ist die Energie für die Kristallherstellung. Um einen solchen Kristall zu züchten, ist wegen der großen Bandlücke viel Energie nötig. Und das macht ihn grundsätzlich teuer. Wenn Leute also behaupten, Siliziumkarbid würde eines Tages so billig sein wie Silizium, dann irren sie sich gewaltig, denn die Energie, um einen Siliziumkarbidkristall zu züchten – und damit die Kosten für den Wafer – werden immer viel höher sein als die für einen Siliziumkristall. Dieselbe Herausforderung stellt sich auch bei Galliumnitrid, würde man dieses als Wafer-Material nutzen. Könnte man jedoch Galliumnitrid auf einem Standard-Siliziumwafer aufwachsen, würde dies kaum zusätzliche Kosten verursachen. In diesem Moment begriff ich, wie man billigere Produkte herstellt.

Aus diesem Grund haben Sie 2003 ein kleines Spin-off des California Institute of Technology für International Rectifier gekauft und deren Mitarbeiter und geistiges Eigentum übernommen.

Richtig. Diese Absolventen der Caltech haben die Firma GaNRose gegründet, die ich für IR gekauft habe. Später wurde einer der Mitbegründer von GaNRose, Bob Beach, einer der Mitbegründer von Efficient Power Conversion.

Doch im Jahr 2007 änderte sich für Sie alles, da Sie als CEO von International Rectifier zurücktreten mussten. Gegenüber dem Wirtschaftsmagazin Forbes sagten Sie, der Verwaltungsrat hätte Sie gefeuert. Warum denn das?

Ja, ich wurde tatsächlich vor die Tür gesetzt. Einige Verwaltungsräte meinten, sie könnten das Unternehmen besser führen als mein Vater und ich, also haben sie uns rausgeworfen.

Aber IR zwangsweise zu verlassen erwies sich letztlich als die Chance Ihres Lebens.

(Lacht) Zu einem solchen Zeitpunkt sieht man das meist ganz anders, aber dadurch konnte ich tatsächlich das tun, was ich am meisten liebe: neue Produkte entwickeln. Als CEO von International Rectifier war ich für 8000 Mitarbeiter verantwortlich und sah mich in erster Linie als Verwalter von Problemen. Aber es gab eine neue wesentliche Herausforderung. Seit meiner Promotion im Jahr 1977 waren genau 30 Jahre vergangen. Zwar bin ich immer der Technik verbunden geblieben, aber ich steckte nicht wirklich tief drin. Deshalb verbrachte ich das erste Jahr bei EPC fast jeden Tag und jede Nacht damit, alle meine alten Lehrbücher zu lesen und mich wieder in die Festkörperphysik einzuarbeiten, damit ich dazu auch wirklich einen technischen Beitrag leisten konnte.