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Efficient Power Conversion

Galliumnitrid-HEMTs nun als Bare Dies erhältlich

7. Juni 2019, 15:30 Uhr | Ralf Higgelke

Durch die Verfügbarkeit ihrer GaN-Bauteile auf Wafer-Ebene lassen sie sich leichter in Subsysteme von Stromversorgungen integrieren.

Dass Alex Lidow, CEO von Efficient Power Conversion, Gehäuse hasst, ist weit und breit bekannt. Nachdem er seine Bauteile bislang als unverpackte Chip-Scale-Komponenten vertrieben hat, geht er nun einen Schritt weiter: GaN-Bauteile als Bare Dies zum Beispiel für die Integration in Module.

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»Wir haben unseren Partnern aufmerksam zugehört und freuen uns, unsere branchenführenden GaN-Produkte nun als Bare Dies in Wafer-Form anbieten zu können«, sagte Alex Lidow, CEO und Mitbegründer von Efficient Power Conversion (EPC). Er ergänzt: »Diese können nun eine Vielzahl von Montagetechniken und Anwendungen abdecken«.

Durch die Verfügbarkeit dieser Bauteile auf Wafer-Ebene lassen sie sich leichter in Subsysteme von Stromversorgungen integrieren. Dies reduziert die Streuinduktivität der Komponenten und den benötigten Platz auf der Leiterplatte noch weiter. Dadurch steigen sowohl der Wirkungsgrad als auch die Leistungsdichte, während gleichzeitig die Montagekosten sinken.

Traditionell wurden die eGaN-Bausteine des Unternehmens bislang als unverpackte Chip-Scale-Komponenten mit Lötbalken oder Lötpunkten vertrieben. Solche Gehäuse sind eine effizientere Form der Aufbau- und Verbindungstechnik, weil sie den elektrischen Widerstand, die parasitären Induktivitäten, die Größe, den thermischen Widerstand und die Kosten von Leistungstransistoren senkt. Durch diese Eigenschaften erreichen diese Produkte laut EPC eine einzigartige Performance in der Schaltung zu wettbewerbsfähigen Preisen.

EPC bietet seine eGaN-Komponenten in Wafer-Form entweder mit oder ohne Lötpunkte an. Zusätzliche Dienstleistungen wie Wafer-Dünnung, Metallisierung der Wafer-Rückseite und Applikation von rückseitigem Beschichtungsband sind ebenfalls möglich.

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Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter hielt Dr. Alex Lidow die Keynote des zweiten Tages. Vor 40 Jahren erfand er den Power-MOSFET und industrialisierte ihn bei International Rectifier, der Firma seines Vaters. In seiner Keynote erläuterte der heutige CEO des GaN-Pioniers EPC, warum Galliumnitrid dem Moore‘schen Gesetz neues Leben einhaucht. Dazu konnten wir ihn noch interviewen.