Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Wayon

Kompakter CSP-MOSFET

Der neue CSP 20V/17mOhm-Dual-N-KanalTrench-MOSFET im CSP-Gehäuse von Wayon nimmt eine Fläche von 1,5 mm2 ein.

Enpower setzt auf Bauteile von Infineon

Diskrete 750-V-IGBTs für Automotive-Anwendungen

Der chinesische Anbieter von Wechselrichtern für die Automobilindustrie Zhuhai Enpower…

SiC-Leistungshalbleiter

Vitesco kooperiert mit Infineon

Vitesco Technologies setzt bei Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern auf Infineon. Hierzu…

Leistungselektronik für E-Fahrzeuge

BorgWarner eröffnet technisches Zentrum in Nürnberg

BorgWarner hat sein neues technisches Zentrum in Nürnberg eingeweiht. Mit dem Ausbau der…

PCIM-Nachlese

Der SiC-Tsunami kommt!

Er kommt, der bereits vor der Corona-Pandemie prognostizierte SiC-Tsunami! Inzwischen ist…

Interview mit Dr. Giorgia Longobardi

Neuartige GaN-Transistoren von Cambridge GaN Devices

Auf der PCIM Europe hat Cambridge GaN Devices (CGD) neuartige GaN-Transistoren…

Interview with Dr. Giorgia Longobardi

Novel GaN transistors from Cambridge GaN Devices

At PCIM Europe, Cambridge GaN Devices (CGD) presented novel GaN transistors that can be…

Sieben Megatrends für die Mobilität

Autonomes Fahren ist erst der Anfang

Vernetzt, smart, automatisiert und autonom: Technologien zur Digitalisierung, die…

Elektronische Relais verwenden

Sichere Verbindung mit der 48-V-eFuse

Vishay zeigt mit einem Referenzdesign, welche Vorteile im Rahmen des 48-V-Bordnetzes der…

Wegen Nachfrage bei Elektroautos

Renesas will stillgelegte Fab wiederbeleben

Im Oktober 2014 hatte Renesas Electronics den Standort Kofu stillgelegt. Doch nun will das…