Produkt

Power-MOSFETs

International Rectifier: »HEXFET«-Bausteine für 40 V bis 250 V

Da 15 neue »HEXFETs« hinzugekommen sind, kann International Rectifier nun bietet eine vollständige Baureihe für Sperrspannungen zwischen 40 V und 250 V in einem 5 mm x 6 mm großen PQFN-Gehäuse mit optimiertem Copper-Clip und Solder-Die bieten.

IGBT-Module

Sperrschichttemperatur bis +200 °C

Um die Lebensdauer von IGBT-Modulen zu erhöhen, muss die Verbindungstechnik verbessert…

IGBT-Treiber

Prädestiniert für 17-mm-IGBT-Module

Der Scale-Plug&Play-IGBT-Treiber 2SP0115T von Concept eignet sich zur direkten Montage auf…

Video

SiC und GaN – mehr als nur für die Nische?

Siliziumkarbid oder Galliumnitrid? Welches dieser beiden neuen Halbleitermaterialien wird…

20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs

Geringste Durchschaltwiderstandswerte

International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf…

N-Kanal-MOSFET-Treiber

Kann Ströme bis 3,2 A liefern

Linear Technologys LTC4449, ein schneller Synchron-MOSFET-Treiber zur Ansteuerung von…

Kleinsignal-MOSFET

Für Aufwärtsregler in der LED-Hintergrundbeleuchtung

Toshiba Electronics Europe erweiterte sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit dem…

Für DC/DC-Wandler

MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen

Toshiba erweitert sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit einem neuen MOSFET in…

MOSFETs

Für einen niedrigen Einschaltwiderstand

International Rectifier (IR) bringt seine erste, speziell für den Automotive-Einsatz…

Kommentar

Niemand will Smart-Meter

Die Halbleiter-Industrie zählt auf den Erfolg der Smart-Meter, aber die potenziellen…