Produkt

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Ziel ist es, den Durchmesser noch weiter zu vergrößern.

APEC 2022 / Galliumnitrid

Navitas gewährt 20-Jahres-Garantie für GaNFast-ICs

Eine 20-Jahres-Garantie für ihre GaNFast-ICs gewährt Navitas. Damit will das Unternehmen…

EV-Schnellladelösungen

Murata-Produkte jetzt bei Farnell im Portfolio

Murata bietet umfassende Lösungen an, mit denen sich die Ladeinfrastruktur für…

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es…

Große M&T-Umfrage zum Ukraine-Konflikt

Die Kriegsauswirkungen auf die Elektronikbranche

Wirtschaftliche und gesellschaftliche Verflechtungen sollten helfen, zukünftig einen Krieg…

Portfolioergänzung

FEV erweitert Leistungselektronik-Expertise

Entwicklungsdienstleister FEV hat den Standort Aachen von Paragon Electrodrive übernommen.…

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und…

Preisdruck hält unvermindert an

»Eine solche Knappheit an Gütern gab es noch nie«

Schon vor dem Angriffskrieg Russlands auf die Ukraine sagten Analysten für Komponenten und…

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an…

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

Der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten wächst laut TrendForce von 2021 bis 2025 rasant,…