Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind Leistungshalbleiter mit 3,3 kV Sperrspannung gefragt. Nun hat Microchip dementsprechende MOSFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) vorgestellt.

Japanischer Chips Act

Freier Markt oder Autarkie bei Halbleitern

Wie viele andere Regionen will auch Japan seine Halbleiterindustrie stärken. Mariko…

inpotron Schaltnetzteile

»Wir kaufen alle Komponenten, die wir kriegen können«

Für Hersteller kundenspezifischer Stromversorgungen stellt die aktuelle…

Volle Auftragsbücher, lange Lieferzeiten

»Von Entspannung keine Spur«

Verwaltung des Mangels – auf diesen kurzen Nenner lässt sich vielerorts die Situation bei…

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

MOSFETs für hocheffiziente BMS

Siliziumkarbid lautet das Zauberwort

BMS von Elektroautos werden immer kompakter und leistungsfähiger. Deshalb setzt…

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für…