Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

New Wafer Fab in Kulim

Infineon to Invest More Than 2 Billion Euros for SiC and GaN

Infineon invests more than 2 billion euros in a third module at its site in Kulim, Malaysia, primarily for the manufacturing of products based on silicon carbide and gallium nitride. This investment is also intended to strengthen the resilience of…

Bidirektionaler DC-DC-Wandler

2-kW-Referenzboard von EPC und MPS

Für die Elektromobilität hat Efficient Power Conversion (EPC) zusammen mit Monolithic…

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia,…

Infineon

CoolSiC-Leistungsmodul reduziert Energiebedarf von Straßenbahnen

Effizienter Schienenverkehr ist ein Schlüssel für grüne Mobilität. Siemens Mobility und…

Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

BelGaN hat die Waferfab von onsemi im belgischen Oudenaarde übernommen, um diese zu einer…

Nachhaltigkeitsbericht von Navitas

4 kg Kohlendioxid pro GaN-IC sparen

Bis zu 2,6 Gigatonnen CO2 pro Jahr oder die Emissionen von 650 Kohlekraftwerken könnten…

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Mit 400 TWh benötigen Rechenzentren etwa zwei Prozent des weltweit erzeugten elektrischen…

Halbleiterfertigung in Europa

Enormer Investitionsbedarf – trotz über 150 Fabs

Entscheidet sich die EU-Kommission für die Umsetzung des »EU Chip Act«, werden in den…

Reserven nur für fünf Tage

US-Firmen gehen bald die Chips aus

Für fünf Tage nur noch reichen laut US-Handelsministerium die Halbleiterbestände von…

Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

Im März 2021 hatte Toshiba bereits den Bau einer neuen 300-mm-Waferfab angekündigt, aber…