Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Volle Auftragsbücher, lange Lieferzeiten

»Von Entspannung keine Spur«

Verwaltung des Mangels – auf diesen kurzen Nenner lässt sich vielerorts die Situation bei Stromversorgungs-Herstellern und -Distributoren beschreiben. Die Auswirkungen des Ukraine-Krieges sowie neue, Omikron-bedingte Lockdowns in China lassen keine…

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

MOSFETs für hocheffiziente BMS

Siliziumkarbid lautet das Zauberwort

BMS von Elektroautos werden immer kompakter und leistungsfähiger. Deshalb setzt…

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für…

APEC 2022 / Galliumnitrid

Navitas gewährt 20-Jahres-Garantie für GaNFast-ICs

Eine 20-Jahres-Garantie für ihre GaNFast-ICs gewährt Navitas. Damit will das Unternehmen…

EV-Schnellladelösungen

Murata-Produkte jetzt bei Farnell im Portfolio

Murata bietet umfassende Lösungen an, mit denen sich die Ladeinfrastruktur für…

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es…