IC-Entwickler haben sich dieser Herausforderung bereits gestellt, als sie mit planaren Transistoren (<40 nm) arbeiteten. Dünne FinFET-Metalle und winzige Vias setzen der maximalen Stromdichte jedoch noch strengere Grenzen. Da Leistungsverstärker nur eine begrenzte Strombelastbarkeit aufweisen, sind IC-Entwickler gezwungen, breitere Verbindungsleitungen zu verwenden und die Breite der Transistoren zu vergrößern, um die erforderlichen Vias und Kontakte unterzubringen. Abhängig von den Spannungspegeln müssen auch die Abstände zwischen den Leiterbahnen vergrößert werden.
Die daraus resultierenden längeren Leiterbahnen und die größere Gate-Fläche führen zu parasitären Effekten und machen die Verbindungen zu einem begrenzenden Faktor bei der Entwicklung von Leistungsverstärkern. Dies ist zusammen mit den üblichen Abwägungen zwischen Effizienz und Linearität zu berücksichtigen.
Durch eine frühzeitige Planung des Verstärkers in der Entwurfsphase lassen sich Überraschungen vermeiden, selbst wenn die gewünschte Ausgangsleistung relativ bescheiden ist, d.h. nur wenige mW beträgt.