Die komplexen FinFET-DRC-Regeln (Design Rule Check) lassen sich leichter einhalten, wenn der Layouter die Dichte konstant hält und alle Bauelemente mit festen Mustern auslegt, die durch spezielle „Schnitt“-Lagen unterbrochen werden.
Bei Analogschaltungen sorgt die Regelmäßigkeit des Layouts für vorhersehbare Eigenschaften der Bauelemente, die bei einem unregelmäßigen Layout vom Modell abweichen würden.
Bild 3 zeigt, wie dies auf die Dimensionierung von Abschaltkreisen in einem Stromspiegel angewendet wird. In einer planaren Geometrie können Bauelemente mit minimaler Länge für die Abschalttransistoren und die Logik sowie längere Bauelemente für den Stromspiegel verwendet werden.
Der gleiche Ansatz bei FinFET führt zu unregelmäßigen Mustern für kritische Masken wie Poly und aktiver Bereich. Der Layouter ist außerdem gezwungen, zusätzliche Regeln für die Abstände zwischen Bauelementen unterschiedlicher Länge einzuhalten. Weisen hingegen die Abschalttransistoren die gleiche Länge der Stromspiegel auf, wird das Layout regelmäßig. Dies maximiert die Layout-Effizienz und hält die Dichte der kritischen Schichten konstant. Somit lassen sich Vorlagen erstellen, die für mehrere Analogblöcke wiederverwendet werden können.