Startseite > Halbleiter > Neue Speicher-Fab

SK Hynix

Neue Speicher-Fab

30. Juli 2018, 7:17 Uhr | Heinz Arnold

Die HBM-DRAMs von SK Hynix bieten gegenüber bisherigen DRAMs höhere Performance bei geringerer Leistungsaufnahme und kleinerer Bauform.

In den Bau einer neuen Speicher-IC-Fab investiert SK Hynix 3,1 Mrd. Dollar. Baubeginn ist noch in diesem Jahr, im Oktober 2020 soll sie fertig sein.

▶ Diesen Artikel anhören

2015 hatte html" href="http://www.elektroniknet.de/anbieterkompass/hynix-semiconductor-deutschland-8868545.html">SK Hynix die Fab M14 in Icheon fertig gestellt. Sie gilt mit einer Kapazität von 200.000 Wafern pro Monat als größte der Welt. Eine weitere Fab (M15) in Cheongju befindet sich im Bau. Außerdem baut SK Hynix den Reinraum in der Fab in Wuxi aus. Beide Vorhaben sollen in der zweiten Jahreshälfte abgeschlossen werden.

Welche Produkte genau in der neuen, 53.000 m² großen Fab M16 am Hauptsitz in Icheon gefertigt werden sollen, will SK Hynix entsprechend der dann herrschenden Marktbedingungen entscheiden. Weil die Maschinen für die Fertigung von DRAMs immer größer würden, sei es entscheidend, rechtzeitig neue Reinraumflächen zu bauen.

Im ersten Quartal 2018 war der Umsatz von SK Hynix laut DRAMeXchange um 2,2 auf 6,43 Mrd. Dollar gestiegen. Der Umsatz von Samsung, der Nummer 1 unter den DRAM-Herstellern weltweit, kletterte im ersten Quartal 2018 um 2,9 auf 10,4 Mrd. Dollar, der von Micron um 14,3 Prozent auf 5,2 Mrd. Dollar. Im zweiten Quartal 2018 konnte SK Hynix den Verkauf von DRAM gemessen in Bit um 16 Prozent steigern, der durchschnittliche Verkaufspreis kletterte laut eigenen Angaben um 4 Prozent.

Der Preis für DRAMs wird laut IC Insights in diesem Jahr noch einmal um 36 Prozent nach oben springen, nachdem die Preise für DRAMs im vergangenen Jahr schon um 81 Prozent explodiert waren. Allerdings: Gemessen in prognostizieren die Analysten von IC Insights im McLean-Report 2018 für DRAMs praktisch kein Wachstum.