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X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

23. März 2020, 09:08 Uhr   |  Ralf Higgelke

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu
© X-FAB Silicon Foundries

In Lubbock, Texas, hat X-FAB eine eigene Anlage für die SiC-Epitaxie aufgebaut.

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB nun auch eine eigene Epitaxieanlage am Standort Lobbock, Texas, dafür hinzu. Damit will die Foundry ihren Kunden ein Produktionsniveau bieten, das mit dem von IDMs vergleichbar ist.

X-FAB Silicon Foundries setzt die Einführung der Siliziumkarbid-Technologie weiter fort, indem es als nach eigener Aussage erste Pure-Play-Foundry ihr Angebot um eigene Kapazitäten für die SiC-Epitaxie ergänzt hat. Dadurch gewinnt das Unternehmen die Kontrolle über einen weiteren Teil der Prozesskette. Dies kann die Vorlaufzeiten verkürzen, sodass die Produkte der Kunden schneller auf den Markt kommen.

Durch das neue Epitaxie-Toolset, das optional mit einer Dual-Epi-Schicht-Implementierung ausgestattet ist, kann X-FAB zukünftig die Epitaxieschichten homogener gestalten und damit die Leistungsfähigkeit der Bauelemente und die Gesamtausbeute deutlich erhöhen. Darüber hinaus investiert das Unternehmen nach eigener Aussage weiter in moderne Charakterisierungswerkzeuge, um die Qualität der Epi-Schicht zu verbessern. Auch arbeitet X-FAB mit führenden Substratherstellern zusammen, um die langfristige Versorgungssicherheit zu gewährleisten.

Da das Unternehmen sowohl Silizium als auch Siliziumkarbid auf derselben Fertigungslinie prozessieren kann, können die Kunden laut X-FAB auf qualitativ hochwertige und kosteneffiziente Foundry-Lösungen zurückgreifen. Im Einklang mit der wachsenden Nachfrage möchte die Foundry seine SiC-Kapazitäten weiter ausbauen.

Da sich der Standort von X-FAB in Lubbock, Texas, mit der Kapazität von 26.000 Wafern pro Monat darauf konzentriert, den SiC-Markt zu bedienen, ist das Unternehmen auf die erwartete Zunahme der Liefermengen von SiC-Bauelementen vorbereitet, wodurch Schlüsselanwendungen wie Elektromobilität und moderne Energiemanagementsysteme ermöglicht werden. Kunden können ihre SiC-Projekte in eine automotive-qualifizierte Fertigungsumgebung einführen, die ein Produktionsniveau unterstützt, das laut X-FAB mit dem von IDMs vergleichbar ist.

»Indem wir noch mehr Produktionskapazitäten für SiC zur Verfügung stellen, können wir mit der Nachfrage Schritt halten, wenn diese Technologie weiter voranschreitet«, erklärt Ed Pascasio, CFO von X-FAB Texas. »Außerdem ist bei X-FAB die gesamte erforderliche Expertise im Bereich Epitaxie jetzt intern verfügbar, sodass wir in der einzigartigen Lage sind, jeden Schritt der SiC-Produktion zu beherrschen. Unser Ingenieursteam kann den gesamten Prozess direkt beeinflussen, und dies wird sich in einer optimalen Performance und Qualität sowie in attraktiveren Preispunkten niederschlagen«, so Pascasio abschließend.

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