Im Moment arbeitet X-Fab Silicon Foundries daran, die weltweit erste 150-mm-SiC-Wafer-Fertigung (6 Zoll) aufzubauen.
Nun hat das Unternehmen in Zusammenarbeit mit dem US-amerikanischen Department of Energy (DOE) und dem PowerAmerica Institute einen Hochtemperatur-Implanter in seinem Werk in Lubbock, Texas, installiert.
X-Fab sieht sich damit in der Lage, bedarfsgerechte, skalierbare und kosteneffiziente Produktionsmöglichkeiten für Leistungshalbleiter-Bausteine auf Basis von SiC-Substraten anzubieten. Damit sollen die Kunden von X-Fab, die sich aktuell mit dem SiC-Prototyping befassen, im Jahr 2017 in die Volumenfertigung einsteigen können.
Aufbauend auf seinen Hochvolumen-Silizium-Linien und seiner jahrzehntelangen Erfahrung im Foundry-Dienstleistungsangebot für die Märkte Industrie und Automotive sieht sich das Unternehmen in einer guten Position, bei der kommenden SiC-Volumenfertigung ganz vorne dabei zu sein.