Siliziumcarbid

X-FAB verdoppelt SiC-Produktionskapazität

31. August 2018, 10:37 Uhr | Harry Schubert
150-mm-SiC-Wafer für Leistungshalbleiter
© X-FAB

SiC-Leistungshalbleiter auf 150-mm-Wafern produziert X-FAB in seinem Werk in Lubbock, Texas. Nun wird die Produktionskapazität ausgeweitet, um die hohe Nachfrage decken zu können.

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Für seine SiC-Halbleiterproduktion – z.B. für Leistungs-MOSFETs, JFETs und Schottky-Dioden – kauft X-FAB einen zweiten beheizten Ionenimplanter für 150-mm-Wafer. Die Anlage soll Ende des Jahres installiert werden. Bereits im ersten Quartal 2019 soll sie zur Produktion freigegeben werden, so dass die Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter im Werk in Lubbock, Texas, kurzfristig verdoppelt werden kann.  

X-FAB war der erste Dienstleister, der die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern auf 150-mm-Wafern anbot. Mit der Verdoppelung der SiC-Produktionskapazität will X-FAB weiterhin die führende 150-mm-SiC-Halbleiter-Foundry bleiben.

Lloyd Whetzel, CEO von X-FAB Texas: »Mit der steigenden Popularität von SiC haben wir schon früh erkannt, dass die Erhöhung unserer Kapazität zur Ionenimplantation entscheidend für unseren anhaltenden Produktionserfolg auf dem SiC-Markt sein würde. Dies ist nur der erste Schritt in unserem Gesamtkapitalplan für Verbesserungen des SiC-spezifischen Produktionsprozesses. Dieser Schritt ermöglicht es X-FAB auch, unser Engagement für die SiC-Industrie unter Beweis zu stellen und unsere Führungsposition im Bereich der SiC-Foundries zu behaupten.«

Zu den Vorteilen des 150-mm-SiC-Prozesses für Leistungshalbleiter zählt X-FAB überlegene Eigenschaften beim Betrieb mit hohen Spannungen, deutlich geringerer Ein-Widerstand der Transistoren, deutlich geringere Übertragungs- und Schaltverluste, erweiterter Hochtemperaturbetrieb bis 204 °C, höhere Wärmeleitfähigkeit, die Eignung für sehr hohe Frequenzen und eine geringere parasitäre Kapazität.


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