Integrierter Photonik

Ligentec und X-FAB erweitern PIC-Zusammenarbeit

26. Januar 2026, 11:06 Uhr | Heinz Arnold
Ein 8-Zoll-Wafer, auf dem photonisch integrierte ICs gefertigt werden. 
© X-Fab

Ligentec und X-FAB reagieren auf die wachsende Nachfrage in den Märkten für Kommunikation, Computing, Quantentechnologien und Sensorik und bauen ihre Zusammenarbeit im Bereich der integrierten Photonik aus.

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Damit wollen sie den Zugang zu den neusten Prozesstechnologien für die Fertigung von Photonic Integrated Circuits (PICs) vereinfachen. 

Im Rahmen dieser Erweiterung werden die Partner gemeinsam die »XPH90«-Siliziumphotonik-(SOI-)Technologie von X-FAB durch ihre Integration in das breitere Photonikplattform-Portfolio von Ligentec auf den Markt bringen. Dadurch entsteht ein einheitliches Ökosystem, das sowohl SOI- als auch die etablierte verlustarme Siliziumnitrid-(SiN-)Technologie umfasst. Ligentec fungiert dabei als primäre Kundenschnittstelle und bietet einen schlanken und kohärenten Zugang sowohl zur SOI-Plattform mit hoher Bandbreite als auch zur bewährten verlustarmen Siliziumnitrid-Plattform (SiN).

Gemeinsam decken diese Plattformen ein breites Spektrum an Anwendungsanforderungen ab – von hochgeschwindigkeits- und großvolumigen Datacom- und Telekom-Anwendungen bis hin zu fortschrittlichen Computing-, Quanten- und Sensorsystemen. Die SiN-Technologie gewinnt weiterhin stark an Bedeutung und erweitert die Möglichkeiten in zahlreichen Märkten, während SOI eine spezialisierte Lösung für bandbreiten- und integrationsgetriebene Datacom- und Telekom-Anwendungen bietet.

Integrierte SiN- und SOI-Plattformen

Ein zentraler Pfeiler der Zusammenarbeit ist die Industrialisierung heterogener Integrationstechnologien über beide Plattformen hinweg – sowohl SiN als auch SOI. Dabei steht die Integration wesentlicher aktiver und passiver Bausteine im Fokus, darunter Laser, optische Verstärker, Hochgeschwindigkeitsmodulatoren und Photodetektoren. Ein besonderer Schwerpunkt liegt auf Dünnschicht-Lithiumniobat-Technologien (TFLN), die es ermöglichen, leistungsstarke Kommunikations- und Signalverarbeitungssysteme der nächsten Generation zu realisieren, indem sie ihnen neue fortschrittliche elektrooptische Eigenschaften verleihen. 

Nahtlos von F&E zur industriellen Serienfertigung

Zur Unterstützung dieser Vision investieren die Partner in die Skalierung von Hochgeschwindigkeits-TFLN-auf-SiN- und TFLN-auf-SOI-Technologien innerhalb des X-FAB-Foundry-Ökosystems auf Basis von 200-mm-Wafertechnologien. Dieser Schritt schafft einen klaren Pfad von fortgeschrittener Forschung und Entwicklung hin zur industriellen Serienfertigung und stärkt Europas Position in der photonischen Integration der nächsten Generation.

Durch diesen einheitlichen Go-to-Market-Ansatz profitieren Kunden von einem breiteren und kohärenteren Technologieportfolio, einer frühen Einbindung auf System- und Anwendungsebene sowie einem verlässlichen Übergang vom Prototyping zur Volumenfertigung. Die Zusammenarbeit unterstreicht zudem den Anspruch der Partner, eine robuste, industrielle Lieferkette für integrierte photonische Technologien aufzubauen.

»Durch die Förderung dieser heterogenen Integration – insbesondere mit Dünnschicht-Lithiumniobat – stellen wir die wesentlichen Bausteine für Quantencomputing sowie die nächste Generation von Telekommunikations- und Datenkommunikationssystemen bereit. Diese Zusammenarbeit bekräftigt unser Engagement für den Aufbau einer robusten, industriellen europäischen Photonik-Lieferkette mit hohen Stückzahlen«, sagt Rudi De Winter, CEO von X-FAB.

»Unser Ziel war es schon immer, einen nahtlosen Übergang vom Prototyping zur Serienproduktion zu ermöglichen«, sagte Thomas Hessler, CEO von Ligentc. »Durch die Erweiterung unserer Partnerschaft mit X-FAB verschaffen wir unseren Kunden frühen Zugang zu einem breiteren Technologie-Stack, der nun auch die »XPH90«-Siliziumphotonik-(SOI-)Technologie von X-FAB sowie die Hochvolumenintegration von Dünnschicht-Lithiumniobat (TFLN) umfasst. 
 


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