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Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

18. März 2020, 12:06 Uhr   |  Ralf Higgelke

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert
© Power Integrations

Dank der PowiGaN-Technologie ist es möglich, mit InnoSwitch3-ICs Netzteile mit einem Wirkungsgrad von 94 % zu realisieren, die für Regionen mit häufigen Netzausfällen und Spannungsspitzen geeignet sind.

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von bis zu 120 W ab. Die neuen INN3x78C-Bausteine mit 750-V-GaN-Transistor eignen sich für Netzteile zwischen 27 W und 55 W für Regionen mit häufigen Stromausfällen und Netzschwankungen.

Ihre InnoSwitch3-Familien von Sperrwandler-ICs hat Power Integrations nun erweitert. Die neuen INN3x78C-Bausteine enthalten einen kleineren PowiGaN-Transistor mit 750 V Sperrspannung. Dadurch sind kompakte Netzteile möglich, die zwischen 27 W und 55 W ohne Kühlkörper bereitstellen können. Die ICs sind im gleichen kriechstromfesten, sicherheitskonformen InSOP-24D-Gehäuse untergebracht wie die größeren Mitglieder der Familien.

Die PowiGaN-Technologie ist bekannt für ihren hohen Wirkungsgrad, der bis zu 94 Prozent über den gesamten Netzspannungs- und Lastbereich beträgt. Außerdem ist sie laut Hersteller recht robust und ist unempfindlich gegenüber Schwankungen der Netzspannung und Überspannungen, wie sie in Regionen mit schlechter Netzqualität auftreten können. Dadurch können OEMs ein einziges Stromversorgungsdesign definieren, das sich weltweit einsetzen lässt. Zu den Anwendungen für die neuen Bauteile gehören USB-PD- und Ladegeräte und Adapter für mobile Endgeräte sowie Set-Top-Boxen, Displays, Netzwerk- und Gaming-Produkte. Dies gilt insbesondere für solche, die die geplante europäische Energieverbrauchskennzeichnung (European Energy Labeling Regulation) erfüllen sollen.

Chris Lee, der Produktmarketings bei Power Integrations leitet, kommentiert dies wie folgt: »Wir verzeichnen eine verstärkte Nachfrage nach unseren effizienten AC-DC-Wandler-ICs mit dem äußerst robusten 750-V-GaN-Transistor. Aufgrund des Verhältnisses zwischen der Durchbruchspannung von Silizium-MOSFETs und dem Schaltverlust bedingt durch die Ausgangskapazität des MOSFETs ist es schwer, sowohl eine hohe Spannungsfestigkeit als auch einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen. Unsere PowiGaN-Transistoren haben eine sehr niedrige Ausgangskapazität. Deshalb ist es recht einfach, einen Wirkungsgrad von über 94 Prozent und zugleich eine wenige Feldrückläufer aus tropischen Regionen zu erreichen.«

Die neuen InnoSwitch3-ICs von Power Integrations sind ab sofort sowohl als InnoSwitch3-CP als auch als InnoSwitch3-EP zum Preis von 2,95 $US-Dollar als auch als InnoSwitch3-Pro zum Preis von 3,25 US-Dollar (jeweils bei 10.000) Stück erhältlich.

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