Neuer InnoSwitch3 mit GaN

Power Integrations mischt nun auch bei Galliumnitrid mit

29. Juli 2019, 14:01 Uhr | Ralf Higgelke

Bis zu 100 W bei einem Wirkungsgrad von bis zu 95 % und ohne Kühlkörper – das sind die Eckpunkte der neuen Sperrwandler-ICs aus der InnoSwitch3-Familie von Power Integrations. Möglich macht dies ein selbst entwickelter GaN-Transistor.

Vor 18 Monaten hat Power Integrations die InnoSwitch-Familie vorgestellt – in einer siliziumbasierten Variante. Nun hat das Unternehmen bekannt gegeben, dass in den freigegebenen Varianten auf der Primärseite des ICs nun GaN-Schalter die traditionellen Silizium-MOSFETs ersetzen. Dadurch sinken sowohl die Leit- als auch die Schaltverluste erheblich.

Die neuen ICs eignen sich für hocheffiziente Sperrwandler-Designs wie USB-PD und leistungsstarke Ladegeräte/Adapter für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Displays, Appliances, Netzwerk- und Gaming-Produkte. Zudem bieten sie eine nach Firmenangaben einfache Schnittstelle für Schnelllade-ICs. Die Varianten InnoSwitch3-CP und -EP sind hardwarekonfigurierbar, während der InnoSwitch3-Pro über eine digitale Schnittstelle zur softwareseitigen Steuerung von CV- und CC-Sollwerten (Constant Current, Constant Voltage), zur Handhabung von Ausnahmen und zum Sicherheitsmodus verfügt.

Balu Balakrishnan, President und CEO von Power Integrations, kommentiert dies wie folgt: »GaN ist eine zentrale Technologie, die erhebliche Vorteile bei Wirkungsgrad und Bauteilgröße gegenüber Silizium bietet. Wir erwarten eine schnelle Umstellung von Siliziumtransistoren auf GaN in vielen Leistungsanwendungen.«

Die neuen InnoSwitch3-ICs sind ab sofort verfügbar und kosten 4 Dollar bei einer Abnahmemenge von 10.000 Stück. Fünf neue Referenzdesigns, die USB-PD-Ladegeräte von 60 W bis 100 W beschreiben, sind auf der Website verfügbar, zusammen mit einem automatisierten Design-Tool PI Expert und anderen technischen Unterlagen.