E-Serie von Vishay Siliconix
Platzsparende und zuverlässige MOSFETs
Sein Angebot an 600- und 650-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie hat Vishay um drei n-Kanal-Typen im 5 mm x 6 mm messenden PowerPAK-SO-8L-Gehäuse erweitert.
Die 600-V-Ausführung SiHJ8N60E und die 650-V-Typen SiHJ6N65E und SiHJ7N65E benötigen im Vergleich zu MOSFETs im TO-252-Gehäuse (DPAK) nur etwa die Hälfte der Leiterplattenfläche.
Verglichen mit MOSFETs im DFN-Gehäuse ohne Anschlusspins kann mit MOSFETs im PowerPAK-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen die Zuverlässigkeit von Baugruppen erhöht werden, insbesondere wenn sie starken Temperaturschwankungen ausgesetzt sind.
Der SiHJ8N60E weist bei 10 V einen maximalen On-Widerstand von 0,52 Ω sowie eine typische Gate-Ladung von 22 nC auf. Für den SiHJ6N65E wird der maximale On-Widerstand bei 10 V mit 0,868 Ω und die typische Gate-Ladung mit 16 nC angegeben und beim SiHJ7N65E liegen die entsprechenden Werte bei 0,598 Ω und 22 nC.
Typische Einsatzbereiche für die MOSFETs der Marke Vishay Siliconix sind in Beleuchtungs-, Industrie-, Telekommunikations- und Computeranwendungen sowie in der Konsumelektronik zu finden.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Halbleiterrelais
Prellfreies Ein- und Ausschalten
SIDACtor-Thyristoren von Littelfuse
Schützen Schnittstellen im Außenbereich
n-Kanal-MOSFETs von Toshiba
Niedriger Durchlasswiderstand für Power-Management-Applikationen
Bei Rutronik erhältlich
Intelligente Power-Module von STMicroelectronics
Für kostensensitive Anwendungen
50-mm-Thyristor-/Dioden-Module
Synchrone DC/DC-Buck-Leistungsstufe
DrMOS-Modul ist kompatibel zu IMVP8
TTI/Vishay
Schnelle 850-nm-Infrarot-LEDs
