Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln und ist damit das erste Unternehmen, das diese Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht.
Infineon hat es geschafft, 300-mm-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) herzustellen. Ein wesentlicher Vorteil der 300-mm-GaN-Technologie besteht darin, dass sie bestehende 300-mm-Fertigungsanlagen für Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Die bestehenden 300-mm-Silizium-Produktionslinien von Infineon sind ideal, um eine zuverlässige GaN-Technologie auf den Weg zu bringen sowie eine beschleunigte Einführung und einen effizienten Kapitaleinsatz zu ermöglichen. Infineon ist überzeugt, dass eine vollständig skalierte 300-mm-GaN-Produktion dazu beitragen wird, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium in Bezug auf R DS(on)-Kennwerte gleichziehen – was Kostengleichheit für vergleichbare Si- und GaN-Produkte bedeutet.
Infineon ist überzeugt, dass die 300-mm-GaN-Fertigung das Unternehmen in die Lage versetzen wird, den wachsenden GaN-Markt zu prägen, der Schätzungen zufolge bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden Dollar erreichen wird. Das Unternehmen will die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen.