Samsung setzt auf EUV
Ambitionierte Ziele für das Foundry-Geschäft
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
FinFET-Shrink-Versionen für höhere Performance
Doch zurück zu den FinFETs: Schon im vergangenen Jahr hatte Samsung im Bereich der FinFET-Prozesse ausgehend von den ersten Prozessen (Low Power Early, LPE) neue Versionen eingeführt, die für höhere Performance (Low Power Plus, LPP) und niedrigere Kosten (Low-Power Cost, LPC) optimiert sind. Dabei profitieren die neuen Prozesse von den Erfahrungen, die auf Basis der LPE-Prozesse gewonnen wurden. So kann Samsung mit den LPP-Prozessen die Lernkurve schneller als zuvor mit den LPE-Prozessen durchlaufen und die Fertigung schneller auf Stückzahlen hochfahren. Die ICs auf Basis des 10-nm-LPE-Prozesses befinden sich bereits seit Oktober 2016 in der Produktion. »In vielen Millionen Smartphones finden die ICs bereits Einsatz«, so Yongjoo Jeon, Principal Engineer of Foundry Marketing von Samsung Electronics Korea. »Der 10-nm-LPP-Prozess ist bereits qualifiziert, wir stehen unmittelbar vor dem Ramp-up«
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In diesem Jahr nun führt Samsung die geshrinkten 8-nm-Versionen ein. Im kommenden Jahr folgen dann die 11-nm-Typen. Die Shrink-Versionen unterscheiden sich übrigens vor allem darin, dass eine der über zehn Verdrahtungsebenen dieser ICs einen engeren Pitch hat. Es handelt sich also ausschließlich um Veränderungen im Back-End-of-Line-Teil des Prozesses (also um alles, was die Verdrahtung betrifft). Daraus ergibt sich eine um 10 Prozent kleinere Chipfläche und eine um bis zu 15 Prozent höhere Performance. Dabei besteht die weitgehende Kompatibilität zu den Ausgangsprozessen, weil sich die Front-End-Of-Line-Rules ja nicht ändern. So lassen sich alle für die Ausgangsprozesse entwickelten IPs – von kleinen Anpassungen abgesehen – auch für die geshrinkten Prozesse nutzen.
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- FinFET-Shrink-Versionen für höhere Performance
- Ab 7 nm: EUV für die kritischen Ebenen
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