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Winbond investiert

12 Mrd. Dollar über 10 Jahre

Der neue 512-Mb-SPI-NOR-Flash-Speicher von Winbond für den Einsatz im 5G-Modems, Edge-Geräten und High-End Servern.
Der neue 512-Mb-SPI-NOR-Flash-Speicher von Winbond für den Einsatz im 5G-Modems, Edge-Geräten und High-End Servern.
© Winbond

Winbond, Hersteller von DRAMs und Flash-ICs, will über 10 Jahre rund 12 Mrd. Dollar in den Ausbau der neuen Fab in Kaohsiung stecken.

Die neue 12-Zoll-Fab in soll ab Juli 2022 erste DRAMs fertigen und im Oktober die Produktion in Stückzahlen aufnehmen. Bei voller Kapazität plant Winbond dort 35.000 Wafer pro Monat zu fertigen. In der ersten Ausbaustufe wird die Fab 10.000 Wafer pro Monat mit Hilfe von 25-nm-Prozessen verarbeiten. Damit werde Winbond die Kapazität um 15 bis 25 Prozent erhöhen.

Außerdem plant das Unternehmen in den Fab in Kaohsiung, Hsinchu und Taipei über 400 neue Ingenieure einzustellen.

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