Winbond

Neues Interface für Hihgh-Speed-NAND-ICs

2. Juni 2020, 13:24 Uhr | Heinz Arnold

Die neuen QspiNAND-Flash-ICs von Winbond erreichen dank einer neuen Funktion bei 104 MHz die gleiche Datenrate wie im Continuous-Read-Modus.

Traditionell setzen Automobil- und IoT-Gerätehersteller für die Codespeicherung NOR-Flash-ICs ein. Jetzt gehen sie zunehmend zu hochleistungsfähigen Single-Level-Cell-NAND-Flash-ICs über. Sie stellen bei Speicherdichten von 512 Mb und höher die kostengünstigere Alternative dar.

Deshalb hat Winbond mit »Sequential-Read« eine neue Funktion in seine QspiNAND-Flash-Bausteine vom Typ »W25NxxxJW« integriert. Sie nutzen dieselben 6-Pin-Signale und denselben QSPI-Befehlssatz wie die Quad-SPI-NOR-Typen sowie die Funktion »Continuous Read«, die bei einer Taktfrequenz von 104 MHz auf eine kontinuierliche Datenübertragungsrate von bis zu 52 MB/s kommt. Jetzt erreichen die QspiNAND Flash-Produkte bei 104 MHz im neuen »Sequential-Read-Modus« die gleiche maximale Datenrate – und das mit neuer Flexibilität. Die wichtigsten neuen Optionen sind:

• Entscheidungsfreiheit über die ECC-Engine: Im Continuous-Read-Modus unterstützt ein W25N-Speicher von Winbond nur seine eigene 1-Bit-ECC-Engine auf dem Chip. Im Sequential-Read-Modus können Benutzer eine 4-Bit, 8-Bit- oder beliebige Bit-Fehlerkorrektur implementieren, wenn sie durch eine externe ECC-Engine bereitgestellt wird.

• Der Zugriff auf das gesamte Speicherarray - sowohl den Main- als auch den Spare-Bereich – erfolgt jetzt mit einem einzigen Read-Befehl. Dies ist für Code-Shadowing-Anwendungen vorteilhaft, bei denen eine geringe Latenz und eine schnelle Bootzeit besonders wichtig sind.

• Höhere Flexibilität bei der Konfiguration der Datenanordnung für die Anwendung des Benutzers.

»Durch die Continuous-Read-Funktion hatte Winbond QspiNAND Flash bereits zu einer praktikablen Option für die Codespeicherung gemacht, einschließlich Codeshadowing und Execute-in-Place«, sagt Syed S. Hussain, Director Segment Marketing, Winbond Electronics America Flash Business Group. »Mit Sequential Read profitieren Anwender nun von der gleichen hohen Lesegeschwindigkeit von bis zu 52 MB/s, während sie die ECC-Engine und die Datenzugriffsmodi nach eigenen Wünschen implementieren können.«

Die neuen Flash-Bausteine vom Typ W25-N-QspiNAND bietet Winbond in kompakten 8-Pin-Gehäusen an – ein platzsparendes Format. Die herkömmlichen SLC-NAND-Flash-Speicher hatten dagegen mehr Platz auf der Leiterplatte beansprucht.

Die neuen 1,8-V-QspiNAND-Flash-Produkte sind mit Speicherdichten von 512 MB, 1 GB und 2 GB erhältlich. Die 3,0-V-Versionen stehen mit Dichten von 2 Gb und 4 Gb zur Verfügung. Alle werden in der 12-Zoll-Wafer-Fertigung des Unternehmens in Taichung, Taiwan, hergestellt. Winbond baut seine Kapazitäten aus, um der erwartete Nachfrage sowohl im Automobil- als auch im IoT-Marktsegment nachzukommen.