Weltpremiere: IR stellt GaN-Technologie-Plattform vor

Smaller, Lighter, Cooler – mit der Ankündigung von GaN-Lösungen schlägt International Rectifier ein neues Kapitel in der Leistungselektronik auf. In Sachen Leistungsfähigkeit und Herstellungskosten eröffnet das Material vollkommen neue Möglichkeiten.

International Rectifier hat auf der electronica erstmals seine GaN Power Device Technologie-Plattform (GaNpowIR) vorgestellt. IR stellt derzeit erste Prototypen verschiedener, GaN-basierter Leistungshalbleiter ausgewählten OEM-Kunden vor. Für Oleg Khaykin, President und CEO von International Rectifier, stellt die Vorstellung dieser Technologieplattform eine ähnliche Revolution wie die Vorstellung der HEXFET-Technologie vor 30 Jahren dar.

 
Gallium-Nitrid (GaN) ist ein III/V-Material und zeichnet sich durch eine Bandlücke von 3,4 eV aus. Silizium bietet im Vergleich dazu 0,7 eV, das IV/IV-Material Siliziumkarbid wartet mit 3,1 eV auf. Der große Vorteil gegenüber dem kostspieligen Siliziumkarbid liegt nach Darstellung von Khaykin darin, das zur Herstellung von GaN-Wafern keine Spezialprozesse notwendig sind. Das erklärt auch, warum IR GaN von Beginn an auf 6-Inch-Wafern produzieren kann. Zum Vergleich: Das bereits seit mehreren Jahren verfügbare Siliziumkarbid wurde zu Beginn auf kleineren Diametern gefertigt, und ist dabei, erst langsam auf größere Wafer zu migrieren. Der vergleichsweise einfache Herstellungsprozess gegenüber Silizium-Karbid wird auch eine schnelle Transferierung entsprechender Leistungshalbleiterlösungen in Foundries ermöglichen.