Infineon bringt das SSO10T-TSC-Gehäuse für OptiMOS-MOSFETs auf den Markt. Mit seinem Konzept der direkten Oberseitenkühlung erzielt das Gehäuse eine herausragende Effizienz in modernen Automotive-Anwendungen.
Durch die direkte Oberseitenkühlung wird eine Wärmeübertragung in oder durch die Leiterplatte des elektronischen Steuergeräts im Fahrzeug vermieden. Das Gehäuse ermöglicht ein einfaches und kompaktes doppelseitiges Leiterplattendesign und reduziert den Kühlungsbedarf sowie die Systemkosten für zukünftige Automotive-Stromversorgungskonzepte.
Das SSO10T-TSC-Gehäuse hat eine Grundfläche von 5 mm x 7 mm und basiert auf dem etablierten Industriestandard SSO8, einem 5 mm x 6 mm großen robusten Gehäuse. Jedoch ist mit dem SSO10 TSC aufgrund der Oberseitenkühlung eine um mehr als 20 und bis zu 50 Prozent höhere Leistung als mit dem Standard-SSO8 realisierbar – je nach verwendetem TIM-Material und TIM-Dicke.
Geeignet ist das SSO10T-TSC-Gehäuse für Anwendungen wie elektrische Servolenkung (EPS), EMB, Energieverteilung, bürstenlose Gleichstromantriebe (BLDC), Sicherheitsschalter, Batterieumkehr und DC/DC-Wandler. Es ist JEDEC-gelistet und für eine breite Second-Source-Kompatibilität geeignet. Somit kann das Gehäuse schnell und einfach als zukünftiger Standard für die Top-Side-Kühlung eingeführt werden.
Das SSO10T-Gehäuse erlaubt ein sehr kompaktes Leiterplattendesign und reduziert den Platzbedarf des Systems. Durch den Wegfall von Durchkontaktierungen werden auch die Kosten für das Kühlungsdesign gesenkt. So werden sowohl die Gesamtsystemkosten als auch der Designaufwand verringert. Daneben bietet das Gehäuse eine hohe Leistungsdichte sowie eine hohe Effizienz und unterstützt damit die Entwicklung von zukunftssicheren und nachhaltigen Fahrzeugen.
Die ersten 40-V-Automotive-MOSFETs mit SSO10T-Gehäuse sind ab sofort verfügbar: Es handelt sich um die Produkte IAUCN04S6N007T, IAUCN04S6N009T, IAUCN04S6N013T und IAUCN04S6N017T.