Schwerpunkte

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

02. Dezember 2020, 09:08 Uhr   |  Ute Häußler

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse
© Infineon

Das neue Modul eignet sich für drehzahlvariablen Antriebsanwendungen in Industrieantrieben sowie in aktiven Filtern für Heizung, Lüftung und Klimatisierung (HVAC).

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid (SiC) im gemoldeten Gehäuse vor. Die CIPOS Maxi IPM IM828-Serie eignet sich mit hoher Wärmeleitung und hohen Schaltgeschwindigkeiten als kleine Umrichterlösung für Drehstrom- und Permanentmagnet-Motoren.

Die neue CIPOS Maxi IM828-Serie  besteht aus dem 20 A IM828-XCC für Leistungen bis zu 4,8 kW.

Das CIPOS Maxi IPM integriert einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200-V-Gate-Treiber und sechs CoolSiC MOSFETs. Damit wird die Systemzuverlässigkeit erhöht, die Leiterplattengröße optimiert und die Systemkosten gesenkt. Das neue SiC-Modul ist in einem DIP 36x23D-Gehäuse untergebracht – laut Infineon das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in dieser Spannungsklasse. Die IM828-Serie verfügt über ein isoliertes Dual-in-Line-Gehäuse für hervorragende thermische Leistung und elektrische Isolierung. Sie erfüllt die EMI-Anforderungen und den Überlastschutz auch in anspruchsvollen Designs.

Der robuste 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-IPMs bietet eine integrierte Totzeit und vermeidet so Schäden durch Transienten. Außerdem verfügt er über Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen und Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung. Mit seinem Multifunktionspin ermöglicht dieses IPM eine hohe Designflexibilität für verschiedene Zwecke. Zusätzlich zu den Schutzfunktionen ist das IPM mit einem unabhängigen UL-zertifizierten Temperatur-Thermistor ausgestattet. Die Pins der Low-Side-Emitter sind für die Phasenstromüberwachung zugänglich, wodurch das Gerät einfach zu steuern ist.

Auf Facebook teilenAuf Twitter teilenAuf Linkedin teilenVia Mail teilen

Verwandte Artikel

Infineon Technologies AG