600-V-Superjunction-MOSFET
Geringe Durchlass- und Schaltverluste
Mit dem n-Kanal-Baustein SiHP065N60E präsentiert Vishay den ersten 600-V-Leistungs-MOSFERT der vierten Generation der E-Serie.
Der neue MOSFET der Marke Vishay Siliconix, der auf der aktuellen Superjunction-Technologie der E-Serie basiert, weist einen um 30 % geringeren On-Widerstand und eine um 44 % geringere Gate-Ladung auf als die bisherigen 600-V-MOSFETs der E-Serie.
So liegt bei 10 V Gate-Spannung der typische On-Widerstand bei nur 0,057 Ω und der maximale ON-Widerstand bei 0,065 Ω. Die Gate-Ladung wird mit 49 nC angegeben.
Der Baustein im TO-220AB-Gehäuse zeichnet sich darüber hinaus durch sein besonders geringes Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand aus; dieses beträgt 2,8 Ω∙nC (typisch).
Durch die geringen Durchlass- und Schaltverluste erlaubt der 600-V-MOSFET die Realisierung energieeffizienter Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen und steilflankig schaltender DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen.
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