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ASML/Imec

Gemeinsames »High NA EUV Lithography«-Lab eröffnet

4. Juni 2024, 7:03 Uhr | Iris Stroh

Luc Van den hove (li.), President und CEO vom Imec, und Christophe Fouquet, President und CEO von ASML (re.)

Das belgische Forschungszentrum Imec und ASML haben in Veldhoven/Niederlande ein gemeinsames Labor eröffnet, das Zugang zum ersten Prototypen des High NA EUV-Scanners bietet.

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Nach einer mehrjährigen Bau- und Integrationsphase von Jahren ist das Labor jetzt fertig und bietet führenden Herstellern von Speicher- und Logik-ICs sowie Equipment-Unternehmen und Materiallieferanten Zugang zum ersten Prototyp des neuen Lithografie-Systems von ASML und den dazugehörigen Prozessierungs- und Mess-Tools. Damit soll das Risiko bei der Einführung dieses neuen Lithographie-Typs minimiert und den Anwendern die Möglichkeit gegeben werden, eigene High NA EUV-Anwendungen zu entwickeln, bevor die Scanner in ihren Fabs zum Einsatz kommen. Darüber hinaus erhalten sie mit dem Labor auch Zugang zum kompletten Ecosystem von Material- und Equipment-Unternehmen und zum High NA Patterning-Programm von imec.

Derzeit wird davon ausgegangen, dass die neuen Scanner 2025/2026 in die Serienfertigung übernommen werden können. Die bereits laufenden Entwicklungsarbeiten sind mittlerweile soweit fortgeschritten, dass in Veldhoven mit dem EUV-Prototyp-Scanner mit 0,55 NA zum ersten Mal 10 nm dichte Linien (20 nm Pitch) auf Metalloxid-Resists (MORs) gedruckt werden konnten.

Luc Van den hove, President und CEO vom Imec, erklärt: »EUV mit einer hohen numerischen Apertur stellen den nächsten Meilenstein in der optischen Lithografie dar, der die Strukturierung von Metalllinien/-flächen mit 20 nm Pitch mithilfe einer einzigen Belichtung ermöglichen und damit auch die nächsten Generationen von DRAM-Chips. Mit diesen Lithographiesystemen verbessern sich die Ausbeute und die Zykluszeit und auch die CO2-Emissionen im Vergleich zu den bestehenden 0,33-NA-EUV-Multipatterning-Verfahren sinken. Diese Systeme werden daher eine Schlüsselrolle dabei spielen, das Mooresche Gesetz bis weit in die Angstrom-Ära hineinzutreiben. Wir freuen uns nun darauf, diese Möglichkeiten mit dem Prototyp des High NA EUV-Scanners in der Praxis zu erproben. Für imec und seine Partner wird das High NA EUV Lithography Lab eine virtuelle Erweiterung unseres 300-mm-Reinraums in Leuven sein, die es uns ermöglicht, das Patterning-Ecosystem weiter zu verbessern und die Auflösung des High NA EUV bis an seine Grenzen zu treiben.«