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Toshiba Memory

9 Mrd. Dollar für neue NAND-Fab

25. Juli 2018, 14:08 Uhr | Heinz Arnold

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22 Mrd. Dollar für 40 % höhere Fab-Kapazität

Dass das Unternehmen weiter an der Spitze mitmischt, hat es gerade gezeigt: Die neuen SSDs der XG-Serie basieren auf den neusten 3D-NAND-Flash-ICs mit 96 Layern. Sie können 4 Bit pro Zelle speichern. Im Vergleich mit den Vorgänger-ICs mit 64 Layern und 3 Bit pro Zelle erreichen die 96-Layer-Typen eine um 40 Prozent höhere Speicherkapazität. Die BiCS-Flash-Speicher hat Toshiba Memory im Rahmen des Joint-Ventures mit Western Digital entwickelt.

Um in Entwicklung und Produktion von 3D-Flash-Speichern zu den führenden Unternehmen gehören zu können, sind riesige Investitionen nötig, wie die Analysten von IC Insights kürzlich vorgerechnet haben. Innerhalb von nur zwei Jahren haben sich die Investitionen, die erforderlich sind, um den Ausstoß an NAND-ICs gemessen in Bit um 40 Prozent zu steigern, mehr als verdoppelt: Hatten sie 2017 noch bei 9 Mrd. Dollar gelegen, so seinen 2017 dafür bereits 22 Mrd. Dollar erforderlich gewesen.

Gleichzeitig stellten die Analysten fest, dass die Investitionen, die die Hersteller im vergangenen Jahr getätigt hatten, den Betrag, der für ein Bitwachstum um 40 Prozent erforderlich ist, um 27 Prozent übertroffen haben. Dieses Jahr sollen sogar 41 Prozent mehr in die Fertigung investiert werden. »Kein Wunder, dass die Preise für NAND-Speicher rückläufig sind und wahrscheinlich in der zweiten Jahreshälfte und 2019 weiter fallen werden«, so ihr Fazit.

Wie auch immer sich der Markt entwickeln wird, Toshiba Memory sehr zuversichtlich, unter der neuen Konstellation genügend Geld aufbringen zu können, um über die nächsten Jahre Entwicklung und Fertigung schnell ausbauen zu können.