Startseite > E-Mechanik+Passive > Passive > Speicherdrosseln mit niedrigem Widerstand und geringen Verlusten

Für DC/DC-Wandler

Speicherdrosseln mit niedrigem Widerstand und geringen Verlusten

12. Juli 2024, 14:30 Uhr | Kathrin Veigel

Ein neues Kernmaterial und eine verbesserte Wicklungsgeometrie zeichnen Würths neue Leistungsinduktivitäten WE-MXGI aus.

Mit sehr niedrigen Kernverlusten und einem niedrigen Wicklungswiderstand ermöglichen die neuen Speicherinduktivitäten WE-MXGI von Würth Elektronik eine höchstmögliche Effizienz in Schaltregleranwendungen. Erreicht wurde dies durch ein innovatives Kernmaterial und eine optimierte Wicklungsgeometrie.

▶ Diesen Artikel anhören

Die magnetisch geschirmte kompakte SMT-Speicherdrossel aus der Serie WE-MXGI eignet sich optimal für hochfrequent taktende Schaltregler mit den neuen GaN- und SiC-Transistortechnologien. Entwickler haben damit laut Hersteller Würth Elektronik die Möglichkeit, effizientere Designs zu entwickeln, höhere Leistungen zu konvertieren und ihre Designs kompakter zu gestalten.

Zum Einsatz kommen die Bauteile der Serie in Anwendungen wie DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA), POL-Wandler, tragbare Stromversorgung wie PDA oder Digitalkamera, Mainboards und Grafikkarten, batteriebetriebene Geräte, drahtlose Kommunikationsgeräte, Stromversorgungen für Smartphones, Tablet-PCs und andere mobile Geräte. Die Betriebsspannung liegt bei 80 VDC, die Betriebstemperatur reicht von -40 °C bis 125 °C.

Die Speicherdrosseln sind in den Formfaktoren 4020 und 5030 verfügbar, mit Induktivitäten von 0,16 µH bis 4,7 µH beziehungsweise 0,22 µH bis 10 µH und Strombelastbarkeit bis zu 28 A. Weitere Größen und Werte sind in Planung.