Bis zu 100 Mio. Euro will Aixtron in ein neues Innovationszentrum am Standort in Herzogenrath zu investieren, um die Kapazität für F&E auszubauen.
Auf dem Firmengelände in Herzogenrath sollen 1000 m2 Reinraumfläche entstehen. Der Neubau wird Platz für die nächsten Produktgenerationen schaffen, die sich bereits in der Vorbereitung befinden, sowie für weitere Produktentwicklungen darüber hinaus.
»Wir adressieren mit unseren Produkten die Megatrends Digitalisierung, Elektromobilität und Energieeffizienz und verzeichnen eine starke und stetig wachsende Nachfrage«, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender von Aixtron.
Die Bedeutung von Produktentwicklungen in der dynamischen Halbleiter-Industrie zeigt der Erfolg der neuen »G10«-Anlagengenerationen von Aixtron: Im ersten Jahr nach der Markteinführung erwartet Aixtron bereits mehr als 40 Prozent des Jahresumsatzes mit dieser neuen Produkt¬generation zu realisieren. Die neue Anlage für das Materialsystem Siliziumkarbid (G10-SiC) verzeichnete bereits kurz nach ihrer offiziellen Vorstellung hohe Auftragseingänge und sorgt im Jahr 2023 für einen weiteren Wachstumsschub.
Auch die neue Anlage für die Materialsysteme Gallium-Arsenid/Indium-Phosphit (G10-AsP) erfreut sich bereits im ersten Jahr nach ihrer Markteinführung einer starken Nachfrage. Sie ermöglicht erstmalig die Produktion von Micro LEDs und photonischen Bauelementen wie Lasern im industriellen Maßstab und auf Wafern mit bis zu 200 mm Durchmesser. Im weiteren Jahresverlauf wird ebenfalls die neue G10-Anlage für Galliumnitrid (GaN) in den Markt eingeführt.
Die Materialsysteme SiC und GaN besitzen das Potential, die komplette Bandbreite der Leistungselektronik vollständig abzudecken – von Elektromobilität, über Technologien der erneuerbaren Energie oder für schnelle Datenübertragung. Mit ihren Materialeigenschaften können sie in diesen Bereichen dafür sorgen, die weltweiten CO2-Emissionen deutlich zu reduzieren und der Elektromobilität zum Durchbruch zu verhelfen.