Um integrierte photonische ICs für die schnelle optische Kommunikation auf Basis von Silizium herstellen zu können, hat die Universität Cambridge eine Anlage zur Abscheidung von 2D-Schichten über gesamte Wafer von Aixtron erworben.
Eine solche »Close Coupled Showerhead«-Anlage von Aixtron (CCS) für die Verarbeitung von 200-mm-Wafern wird derzeit im Cambridge Graphene Centre installiert, um in der britischen Layered Materials Research Foundry (LMRF) eingesetzt zu werden. Sie ermöglicht das Wachstum von Nicht-Graphen-Schichtmaterialien, auch als »Layered Materials« (LR) oder 2D Materialien bezeichnet. Die LMRF konzentriert die Forschung auf Graphen und weitere Nicht-Graphen-Schichtmaterialien. Ziel ist es, eine voll integrierte Silizium-Photonik-Plattform zu entwickeln. »Mit unserer CCS-Anlage tragen wir entscheidend dazu bei, dass nächsten Generationen optischer und elektronischer Bauelemente gefertigt werden können«, sagt Dr. Felix Grawert, CEO von Aixtron.
Die LMRF hat die CCS-Anlage von Aixtron ausgewählt, weil sie derzeit die einzige Anlage ist, die einen nahtlosen Prozesstransfer und eine Skalierung auf 300 mm sowie die Massenfertigung von LMs ermöglicht. Zudem erlauben Aixtrons proprietäre »ARGUS«-Wafer-Temperaturregelung sowie der Konzentrationsmonitor »Epison« (für die präzise Zufuhr der Quellenmaterialien) im Labor Produktionsbedingungen wie in der Serienfertigung.
»Das CCS-System von Aixtron, das wir derzeit in unserem Cambridge Graphene Centre installieren, wird zur Abscheidung von LMs für optische Transceiver und Modulatoren verwendet, die für Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung wie 5G/6G sowie für optische Verbindungen und Schalter für energieeffiziente KI-Hardware der nächsten Generation eingesetzt werden sollen«, sagt Prof. Andrea Ferrari vom Institut für Nanotechnologie der Universität Cambridge.