Aixtron liefert seine neue MOCVD-Anlage »AIX G10-AsP« an SMART Photonics, mit deren Hilfe die Indiumphosphid (InP)-Foundry GaAs/InP-Materialien in hohen Volumen fertigen kann.
Der Markt für Photonic-Integrated Circuits (PICs) auf Basis von InP (Indiumphosphid) kam laut Yole 2023 auf einen Umsatz von 3 Mrd. Dollar und wird – angetrieben durch die 5G- und 6G-Telekommunikation, Gesundheitswesen und KI – bis 2027 mit einer jährlichen Rate von voraussichtlich 14 Prozent wachsen. Auch Sensortechnologien wie LiDAR (Light Detection and Ranging) im Automobilsektor spielen eine wichtige Rolle. Über InP-PICs können Laser direkt auf dem Chip integriert werden, so dass sich die Leistungsfähigkeit der Geräte erhöht, während ihre Baugröße reduziert werden kann.
SMART Photonics wurde 2012 gemeinsam mit der Technischen Universität Eindhoven gegründet und ist eine unabhängige InP-PIC-Foundry. Der Auftragshersteller von diskreten und integrierten photonischen Komponenten hat seinen Hauptsitz auf dem High Tech Campus in Eindhoven, Niederlande.
Die MOCVD-Anlage (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) »G10-AsP« von Aixtron gilt als das Arbeitspferd für präzise und gleichmäßige Prozesse, die für eine qualitativ hochwertige PIC-Produktion unerlässlich sind. Die Plattform wurde speziell für Arsenid/Phosphid-Anwendungen entwickelt und bietet dank eines innovativen Injektors und einer fortschrittlichen Temperaturregelung eine bis zu viermal bessere On-Wafer-Gleichmäßigkeit für kritische Schichten im Vergleich zur vorherigen Generation. Sie ist vollständig automatisiert durch eine Cassette-to-Cassette (C2C) Beladung und gewährleistet mittels In-Situ-Reinigung eine hohe Prozessstabilität, was eine konsistente und zuverlässige Produktion ermöglicht.
»Mit der G10-AsP-Anlage wird SMART Photonics die Effizienz und Präzision bei der Herstellung photonischer Komponenten für fortschrittliche Lasergeräte deutlich steigern können«, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von Aixtron.