Neue Herausforderungen durch Miniaturisierung
Trends bei Leistungshalbleitern
Fortsetzung des Artikels von Teil 3
Literatur & Autor
[1] Laska, T.; Miller, G.; et al: Short Circuit Properties of Trench-/Field-Stop-IGBTs - Design Aspects for a Superior Robustness. IEDM 2003, Cambridge; and internal communication.
[2] Miller, G.: Future Trends in High Power Semiconductors. ECPE workshop on „Research Challenges and Visions on Megawatt Power Electronics and Smart Grids”, 05. - 06.03.2006, Zürich, Schweiz.
[3] Baliga, B.J.: Power Semiconductor Devices. PWS Publishing Company, 1995, S. 373.
[4] Schlögl, A.; Deboy, G.; et.al.: Properties of the New Compensation Devices (CoolMOS) between 420K and 80K - the Ideal Device for Cryogenic Applications. ISPSD 1999.
[5] Miller, G.: Panel discussion on future of power devices. ISPSD 2005, Santa Barbara, USA.
[6] Nakagawa, A.: Theoretical investigation of silicon limit characteristics of IGBT. ISPSD 2006, Naples, S. 1 - 2.
[7] Bayerer, R.: Higher Junction Temperature in Power Modules - a demand from hybrid cars, a potential for the next step increase in power density for various Variable Speed Drives. PCIM 2008, Nürnberg.
[8] Pfirsch, F.: Idealer Leistungsschalter unter dem Aspekt beliebig verkleinerbarer Streuinduktivitäten. 35. Kolloquium Halbleiter-Leistungs-Bauelemente und ihre systemtechnische Anwendung. Oktober 2006, Freibug.
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| Dr. Gerhard Miller |
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| studierte Elektrotechnik mit Schwerpunkt Elektrophysik und Halbleiterphysik an der TU München und promovierte auf dem Gebiet der Hochfrequenzlimitierung von Leistungs-MOSFETs. Bei Siemens war er Projektleiter der ersten IGBT-Entwicklung, Leiter des Segmentes IGBT-Module mit Entwicklung sowie Leiter der diskreten Hochvolt- und Niedervolt-MOS- und IGBT-Entwicklung. Bei Siemens wirkte er an mehreren grundlegenden Patenten und Veröffentlichungen mit. Seit 2008 ist er Leiter der Technology & Innovations Power in der Division Industrial and Multimarket bei Infineon. Dort ist er verantwortlich für SiC und IGBT-/Dioden-Technologien. |
gerhard.miller@infineon.com
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