Firma

Exagan c/o Minatec Enterprises

Active Clamp für höhere Leistungsdichte

Mehr Netzteil-Power mit GaN-Sperrwandlern

Leistungstransistoren auf Galliumnitrid-Basis (GaN) sind längst Standardbauteile. Leistungselektronik-Designs wie Netzteile können mit den hohen Wirkungsgraden mehr Power auf kleinerem Raum liefern. Doch wie wirkt sich der Einsatz von…

Offensive in Sachen Wideband-Gap

ST gibt Vollgas

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will…

Galliumnitrid / Übernahme

STMicroelectronics erwirbt Mehrheitsbeteiligung an Exagan

Nachdem STMicroelectronics bereits mit CEA-Leti und TSMC bei Galliumnitrid…

Leistungshalbleiter: Book-to-Bill-Rate

Vom Verkäufer- wieder zum Käufermarkt

Und dann war die große Sause vorbei: Auf zwei Jahre Allokation folgte 2019 die notwendige…

Von SiC und GaN

E-Mobility und 5G als Treiber

Weltweit wird in den Ausbau der SiC-Fertigung investiert. Nachdem inzwischen fast alle…

Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten

Paukenschlag auf der PCIM

Mit der Ankündigung, in den nächsten fünf Jahren insgesamt 1 Milliarde US-Dollar in den…

MOSFETs und IGBTs

Ende der Achterbahnfahrt

Wie eine aktuelle Umfrage der Markt&Technik bei führenden Herstellern ergab, hat sich die…

Wide-Band-Gap-Materialien / PCIM

SiC und GaN attackieren, Silizium wehrt sich

Einmal mehr stand die diesjährige PCIM im Nürnberg im Zeichen der immer zahlreicher…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung in Sachen MOSFET, IGBT & Co

Wie lässt sich das Maximum aus Leistungshalbleitern herausholen und welche Fehler sollte…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…