Modellierung des Leistungsschalters
Um dies zu erreichen, findet Gleichung (5) Verwendung.
(5)
Wichtig: Der Parameter gm,eq ist gleich der Transkonduktanz des Transistors (gfe). Da das Datenblatt indessen gfe bei einem spezifischen Wert von ICE aufführt, wird eine verwendbare Zahl für gm,eq dadurch berechnet, dass man IL/trise durch di/dt (on) ersetzt (Gleichung (6)).
(6)
Da IGate,on aus Gleichung (3) bekannt ist, ergibt sich Gleichung (7).
(7)
Man beachte: Das hier zu verwendende RG,on ist der im Datenblatt bei trise aufgeführte Wert. Ignoriert man Temperatureffekte, kann ein Wert von gm,eq berechnet werden, der als konstant angenommen wird, weil die Analyse bei einem konstanten IL durchgeführt wird.
Die verbleibende Stromgleichung ist in Gleichung (8) zu sehen, wobei Qrr und Shape durch die Gleichungen (9) und (10) definiert werden.
(8)
(9)
(10)
Irec,DS und di/dt (DS) sind im Datenblatt des Transistors aufgeführt. Die endgültige Stromgleichung, die das Modell vervollständigt, ist Gleichung (11).
(11)
Bis zu diesem Schritt gilt die Herleitung sowohl für MOSFETs als auch für IGBTs. Für IGBTs muss das Modell noch ein wenig angepasst beziehungsweise erweitert werden. Der zweite Teil der Abschaltung und der Stromschweif des IGBTs lassen sich durch die Gleichungen (12) und (13) abbilden.
(12)
(13)
Im Ausdruck für den Stromnachlauf wird die »Mathcad«-Funktion dnorm[a,b,c] verwendet, die zwei Zeitkonstanten erfordert. Die anfängliche Amplitude des Stromschweifs wird durch den Parameter kini,z definiert. Diese Parameter sind nicht im Datenblatt zu finden und müssen unter Verwendung einer experimentellen Schaltung mit geregeltem IL und RG,on/RG,off gemessen werden. In beiden Gleichungen werden t2 und t5 verwendet, um einige Subintervalle von toff und ton zu repräsentieren, was für die mathematische Beschreibung nützlich ist.