Leistungshalbleiter

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für das Prototyping einer neuen Generation von Power-Bauelementen im Werk Norrköping (Schweden) gefertigt.

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die…

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von…

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern…

Weitere Fertigungskapazitäten gesichert

Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab

Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry…

Vertikal integriert Fertigungskette

China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig

Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan…

Advertorial

Nach Si kommt SiC

Die Siliziumkarbid (SiC) Technologie eignet sich hervorragend um Silizium (Si) in MOSFETs…

Standort Europa gestärkt

Nexperia investiert 700 Mio. US-Dollar vor allem in Europa

Nach der Investition in eine 300-mm-Fab nahe Shanghai legt Nexperia nach. In den nächsten…

Vorgehen der Bauelementehersteller

Priorisiertes Investment in Automotive-Kapazitäten

Von der Verwaltung des Mangels zu einem priorisierten Investment in…

Rohm Semiconductor plant Investitionen

»Wir legen unseren Fokus auf Analog-Power- und Power-Produkte«

Im April hat Wolfram Harnack als President die Verantwortung bei Rohm Semiconductor Europe…