Leistungshalbleiter

Wide Bandgap für die 5G-Infrastruktur

650-V-CoolSiC in modernen Telekommunikations-SMPS

Im Zuge des Aufbaus der 5G-Infrastruktur profitieren Telekommunikationsumrichter-Anwendungen der neuesten Generation erheblich von den Eigenschaften und der Leistung der CoolSiC-Technologie. Sie ermöglicht die Realisierung äußerst zuverlässiger, robuster und effizienter Designs.

Schnelles Tanken an der Stromtankstelle

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen durch CoolSiC

Für effiziente und leistungsfähige Ladesäulen ist SiC die entscheidende...

ZVEI fordert sechs neue Halbleiter-Fabs

Markt für Leistungshalbleiter verdreifacht sich bis 2030

Bei Leistungshalbleitern ist Europa mit einem Anteil von 30 Prozent heute...

Siliziumkarbid-MOSFETs

Die neue Generation kann mehr

Über die letzten gut zehn Jahre hat Rohm mehrere Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs...

Neuer Fünfjahresplan

China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid

Bis 2025 wird das chinesische Ministerium für Industrie und Informationstechnik (MIIT)...

Massive Kapazitätserweiterung

Infineon eröffnet 300-mm-Fab in Villach

Nach drei Jahren Planung und Bau hat Infineon nun ihre neue, 1,6 Milliarden Euro teure...

Applied Materials / Siliziumkarbid

Umstieg auf 200-mm-SiC-Wafer beschleunigen

Derzeit migrieren die meisten Hersteller von SiC-Leistungshalbleiter von 150-mm- auf...

Leistungshalbleiter + Stromversorgungen

Keine Chance den Fake-Produkten!

Im Rahmen des diesjährigen, virtuellen Stromversorgungsforums der Markt&Technik (s....

Rohm Semiconductor

Netzteile mit 1700-V-SiC-MOSFETs plus Regler einfach designen

Bei SiC-MOSFETs gibt es noch einige Herausforderungen hinsichtlich ihrer Anwendung. Vor...

Energy-Harvesting-On-Chip-Subsystem

Ohne Batteriewechsel auskommen im IoT

Renesas‘ MCU-Familie RE01 ist für die Entwicklung von Energy-Harvesting-Systemen...