Leistungshalbleiter

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren brachte Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt. Damals schon war Dr. Peter Friedrichs, heute Vice President SiC, dabei. Mit ihm konnte Markt&Technik exklusiv über die Vergangenheit, die Gegenwart und die Zukunft…

Analyse von Yole Développement

2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke

Allein 2020 verdoppelte sich der Markt für GaN-basierte Leistungselektronik, getrieben von…

1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden von Vishay

Perfekter Mix aus Energieeffizienz und Robustheit

Als H- und X-Serie bringt Vishay die neuen 1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden auf den Markt. In…

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar

Hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen »Anwenderforums…

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für…

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die…

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von…

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern…

Weitere Fertigungskapazitäten gesichert

Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab

Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry…

Vertikal integriert Fertigungskette

China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig

Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan…