Leistungshalbleiter

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei deren Zuverlässigkeit und für die Kommerzialisierung. Doch in den vergangenen Jahren kamen bessere Fertigungsmethoden und neue Testverfahren – mit Einfluss auch…

Milliardeninvestitionen bei Leistungs-HL

Siegeszug der 300-mm-Wafertechnologie

Mit dem Einzug der 300-mm-Fabs in die Leistungshalbleiterfertigung steht die Branche vor…

Marktumfrage bei Leistungshalbleitern

Hoffnungen ruhen auf dem Jahresende 2021

Von 20 bis 35 Wochen reichen derzeit die Lieferzeiten für die wichtigsten…

Vom Wafer bis zum SiC-Modul

SiC-Komponenten zu erschwinglichen Kosten

Eigene SiC-Wafer-Fertigung und technisch führenden SiC-Komponenten: »Damit wollen wir uns…

Verstärkte Anstrengungen im GaN-Bereich

»Wingtech bringt Nexperia auf ein neues Level«

Mit dem neuen Eigentümer Wingtech im Rücken wird Nexperia ab 2024 seine…

Infineon Technologies

CoolMOS mit nur 10 mΩ

Um die Anforderungen für statische Schaltanwendungen zu erfüllen, hat Infineon seine…

Rohm Semiconductor Europe

Wolfram Harnack folgt Toshimitsu Suzuki als President nach

Zum 1. April 2021 hat Rohm Semiconductor Europe Wolfram Harnack zum neuen President…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren hat Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt gebracht.…

Alpha and Omega Semiconductor

Aktiver Brückengleichrichter für höchste Effizienz

Ein normaler Brückengleichrichter senkt den Wirkungsgrad von Netzteilen automatisch.…

UnitedSiC / Siliziumkarbid

Kostenloses Online-Berechnungstool für SiC-FETs

FET-Jet Calculator heißt ein registrierungsfreies und kostenloses Online-Tool von…