Leistungshalbleiter

Verstärkte Anstrengungen im GaN-Bereich

»Wingtech bringt Nexperia auf ein neues Level«

Mit dem neuen Eigentümer Wingtech im Rücken wird Nexperia ab 2024 seine Produktionskapazität durch ein 300-mm-Werk um 50 Prozent erhöhen können.

Infineon Technologies

CoolMOS mit nur 10 mΩ

Um die Anforderungen für statische Schaltanwendungen zu erfüllen, hat Infineon seine…

Rohm Semiconductor Europe

Wolfram Harnack folgt Toshimitsu Suzuki als President nach

Zum 1. April 2021 hat Rohm Semiconductor Europe Wolfram Harnack zum neuen President…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren hat Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt gebracht.…

Alpha and Omega Semiconductor

Aktiver Brückengleichrichter für höchste Effizienz

Ein normaler Brückengleichrichter senkt den Wirkungsgrad von Netzteilen automatisch.…

UnitedSiC / Siliziumkarbid

Kostenloses Online-Berechnungstool für SiC-FETs

FET-Jet Calculator heißt ein registrierungsfreies und kostenloses Online-Tool von…

Wachstumsmarkt Siliziumkarbid

SK Siltron investiert massiv in SiC-Wafer

SK Siltron hat SiC-Wafer als Wachstumsquelle identifiziert. Daher wird das Unternehmen…

Siliziumkarbid

GeneSiC präsentiert dritte Generation SiC-MOSFETs

G3R heißt die dritte Generation an SiC-MOSFETs mit 1200 V Sperrspannung, die GeneSiC nun…

GaN Systems

GaN-Transistoren durchbrechen 1-Dollar-Schallmauer

GaN Systems hat bekannt gegeben, dass seine GaN-Transistoren für niedrige Ströme und hohe…

Infineon / MOSFETs

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die…