Leistungshalbleiter

1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden von Vishay

Perfekter Mix aus Energieeffizienz und Robustheit

Als H- und X-Serie bringt Vishay die neuen 1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden auf den Markt. In der H-Ausführung eignen sie sich für Applikationen mit Schaltfrequenzen im Bereich von 20 kHz. Höhere Frequenzen deckt die X-Serie ab. Beide Baureihen zielen vor allem auf den Einsatz im E-Mobility-Bereich ab.

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar

Hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen »Anwenderforums...

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für...

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die...

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von...

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von...

Weitere Fertigungskapazitäten gesichert

Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab

Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry...

Vertikal integriert Fertigungskette

China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig

Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan...

Advertorial

Nach Si kommt SiC

Die Siliziumkarbid (SiC) Technologie eignet sich hervorragend um Silizium (Si) in...

Standort Europa gestärkt

Nexperia investiert 700 Mio. US-Dollar vor allem in Europa

Nach der Investition in eine 300-mm-Fab nahe Shanghai legt Nexperia nach. In den...