Leistungshalbleiter

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie auf Silizium, aber trotzdem nicht trivial. Zufällig stellten Entwickler bei SweGaN fest, dass ihre GaN-on-SiC-Transistoren dreimal höhere Feldstärken verkraften, als erwartet. Nun wissen sie, warum.

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics schließt Liefervertrag mit SiCrystal

Der Bedarf an SiC-Bauelementen im Automobil- und Industriesektor steigt....

SiCrystal und STMicroelectronics

Mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer

Wie hoch der erwartete Bedarf an Siliziumkarbid-MOSFETs besonders für die...

Leistungshalbleiterumsätze 2020

Es geht wieder aufwärts

Auch wenn der Leistungshalbleiterumsatz 2019 in einigen Produktbereichen von...

Bauelemente für die kommenden Trends

Kundenanforderungen voraus

Drei Trends werden die Halbleiterhersteller 2020 antreiben, um neue Techniken und...

ECPE-Workshop

Leistungsmodule der Zukunft

Wide-Bandgap-Halbleiter und Elektromobilität stellen die Aufbau- und Verbindungstechnik...