Leistungshalbleiter

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Energy-Harvesting-On-Chip-Subsystem

Ohne Batteriewechsel auskommen im IoT

Renesas‘ MCU-Familie RE01 ist für die Entwicklung von Energy-Harvesting-Systemen prädestiniert. Mit den zugehörigen Entwicklungs-Boards und Software kommen Entwickler schnell zu Prototypen und kundenspezifischen Designs.

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© Componeers GmbH, Infineon, Nexperia, Cree

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums…

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© Infineon Technologies

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation…

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Yole Développement

China drängt auf den MOSFET-Markt

Bei Silizium-MOSFETs wird das künftige Wachstum besonders aus dem Automobilbereich kommen.…

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© Wikimedia Commons / Drahnier

Leistungselektronik in Windkraftanlagen

Komponenten offshore-tauglich machen

Leistungselektronik sorgt in Windkraftanlagen dafür, dass die fluktuierend erzeugte…

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© Infineon

Erweiterte Siliziumkarbid-Kapazitäten

onsemi übernimmt GTAT für 415 Mio. US-Dollar

Nun hat sich auch Infineon-Rivale onsemi im Bereich der SiC-Rohmaterialien verstärkt. Für…

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© Infineon

Yole Développement

Markt für IGBTs wächst auch weiterhin stark

Selbst wenn Siliziumkarbid den IGBTs Konkurrenz macht, auch der IGBT-Markt dürfte sich…

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© Componeers GmbH, Infineon, Nexperia, Cree

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätige Keynote-Sprecher

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum Leistungshalbleiter noch einmal in…

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© Cree, STMicroelectronics

Siliziumkarbid-Wafer

Cree und STMicroelectronics erweitern Liefervereinbarung

Auch wenn STMicroelectronics erst kürzlich erste eigene Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm…

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Brückenlose Totem-Pole-PFC

SiC und GaN im direkten Vergleich

Die brückenlose Totem-Pole-PFC gilt als eine wichtige Anwendung für…

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