Leistungshalbleiter

Soitec und A*STAR

Prozess für neue SiC-MOSFET-Generationen

Das Institute of Micorelectronics von A*STAR in Singapur und Soitec entwickeln gemeinsam SiC-Halbleiter der nächsten Generation.

Dr. Gerald Paul, Vishay

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs...

Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und...

Vishay mit SiC-Dioden und -MOSFETs

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs...

Toshiba Electronics Europe

Neues Leistungselektronik-Labor in Deutschland

Ende Dezember 2021 hat Toshiba Electronics Europe ein High-Voltage-Labor eröffnet, um...

Elektromobilität

Bosch startet Serienfertigung von Siliziumkarbid-Chips

Nach zweijähriger Entwicklung hat Bosch die Großserienfertigung von...

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Innoscience Technology mit Hauptsitz in Suzhou, China, hat Design-Service- und...

Dr. Thomas Reisinger, Infineon

»300 Millimeter is coming home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Wafer-Fab in Villach eröffnet....

Leistungs-MOSFETs von Infineon

Kleines PQFN-Gehäuse mit Source-Down-Technologie

Üblicherweise ist bei Leistungs-MOSFETs der Drain-Anschluss unten, was aber zuweilen...

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Eine neue Familie von GaN-Leistungstransistoren mit 6%0 V hat STMicroelectronics...