Leistungshalbleiter

Leistungs-MOSFETs von Infineon

Kleines PQFN-Gehäuse mit Source-Down-Technologie

Üblicherweise ist bei Leistungs-MOSFETs der Drain-Anschluss unten, was aber zuweilen ungünstig ist. Nun hat Infineon für seine OptiMOS-Serie ein 3,3 mm × 3,3 mm großes PQFN-Gehäuse vorgestellt, bei dem der Source-Anschluss unten ist.

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Eine neue Familie von GaN-Leistungstransistoren mit 6%0 V hat STMicroelectronics...

Neue 600-V-MOSFET-Familie von onsemi

SuperFET V in verschiedenen Ausprägungen erhältlich

Mit SuperFET V hat onsemi eine neue Serie von Silizium-MOSFETs mit 600 V Sperrspannung...

STMicroelectronics

Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform...

Toshiba

Neuartiges Mixed-Signal-Treiber-IC für SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs können die Verluste in leistungselektronischen Systemen deutlich...

Advertorial

Brennstoffzellen effizient testen und simulieren

Funktionsgenerator, Autoranging und bis über 96 % Netzrückspeisung: Lösungen von EA...

Yole Développement

Elektromobilität befeuert das Packaging von Power-Modulen

Das Design von Power-Modulen und insbesondere der Packaging-Ansatz sind das Herzstück...

Neue OptiMOS-Generation von Infineon

Neue 100-V-MOSFETs für noch niedrigere Verluste

Mit OptiMOS 6 hat Infineon eine neue Generation an 100-V-MOSFETs vorgestellt. Gegenüber...

Leistungshalbleiter

SiC-Bedarf explodiert

Vor dem Hintergrund der sich weltweit vollziehenden Energie- und Mobilitätswende,...

Siliziumkarbid-Dioden

Nexperia startet ins SiC-Zeitalter

Nachdem Nexperia vor genau zwei Jahren sein Produktportfolio um...