Infineon Technologies
Gartner sieht Infineon an der KI-Spitze
Der KI-Boom treibt die Nachfrage nach Leistungshalbleitern für Rechenzentren rasant an. Laut Gartner nimmt Infineon dabei eine Spitzenposition ein – dank eines breit aufgestellten Portfolios für die gesamte Stromversorgungskette und früher Investitionen in SiC- und GaN-Technologien.
So hat Gartner in einem aktuellen Bericht mit dem Titel »AI Vendor Race: Infineon Is the Company to Beat in AI Data Center Power Semiconductors« den sich dynamisch entwickelnden Markt für Leistungshalbleiter in KI-Rechenzentren untersucht und Infineon Technologies als »das Unternehmen, das es zu schlagen gilt« identifiziert. Der Bericht nennt Infineons »umfassendes Produktportfolio, Fertigungskapazitäten und frühzeitige Investitionen in fortschrittliche Technologien« als entscheidende Faktoren für seine Vorreiterposition bei Leistungshalbleiterlösungen für KI-Rechenzentren. Laut Gartner wird Infineons Vorreiterposition im Wettbewerb um Leistungshalbleiter für KI-Rechenzentren durch zunehmenden Wettbewerb im Bereich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sowie durch starke Konkurrenten auf der Compute-Board-Ebene für die finale Umwandlungsstufe am Prozessor herausgefordert.
Der KI-Boom verändert den Markt für Leistungshalbleiter grundlegend. Infineon erwartet deshalb, im Geschäftsjahr 2027 rund 2,5 Milliarden Euro Umsatz mit Produkten für KI-Anwendungen zu erzielen. Grundlage dafür ist das breite Portfolio des Unternehmens, das nahezu alle Bereiche der Stromversorgung von KI-Systemen abdeckt.
Systemkompetenz entlang der gesamten Stromversorgungskette
Laut Gartner sichert Infineon seine Vorreiterposition im KI-Rechenzentrums-Halbleitermarkt durch umfassende Grid-to-Core-Lösungen, die die gesamte Stromversorgungsarchitektur abdecken und gezielt auf die hohen Leistungsanforderungen und thermischen Herausforderungen moderner KI-Workloads ausgelegt sind. Während viele Wettbewerber nur einzelne Stufen der Rechenzentrum-Stromversorgungskette adressieren, liefere Infineon optimierte Halbleiterlösungen auf jeder Konversionsstufe: von Solid-State-Transformatoren (SST), Netzteilen (PSU) und Energiespeichersystemen (ESS) über die Zwischenbuswandlung (IBC) bis hin zum Energiemanagement auf Prozessorebene. Damit werden Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung entlang des gesamten Systems maximiert.
Durch die Optimierung jeder Stufe in der Stromversorgungskette mit der jeweils geeigneten Halbleitertechnologie ermöglicht Infineon Rechenzentrumsbetreibern, kumulierte Energieverluste über mehrere Umwandlungsstufen hinweg zu reduzieren. Dies ist ein entscheidender Vorteil im Hyperscale-Bereich und ein bedeutender Beitrag zu den übergeordneten Nachhaltigkeitszielen der Branche.
SiC und GaN: die richtige Technologie auf jeder Stufe
Die Grundlage von Infineons breitem Portfolio bildet die strategische Kombination verschiedener Halbleitermaterialien. Gartner stellt fest, dass Infineons strategische und frühzeitige Investitionen sowie Innovationen im Bereich von WBG-Halbleitern, einschließlich SiC- und GaN-Technologien, dem Unternehmen entscheidende Vorteile bei der Bereitstellung energieeffizienter Leistungslösungen verschaffen, insbesondere für KI-Rechenzentren der nächsten Generation mit einer 800-VDC-Architektur. Durch die nahtlose Integration von WBG-Halbleitern - konkret SiC für hocheffiziente Hochspannungswandlung beim Übergang vom Netz zum Rechenzentrum (Grid-to-Rack) und GaN für hochfrequente Zwischenstufen der Leistungswandlung - in Kombination mit dem gezielten Einsatz von Silizium auf Prozessorebene minimiert Infineon Energieverluste auf jeder einzelnen Konversionsstufe.