Leistungshalbleiter

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2019

Trench-SiC-MOSFET mit niedrigstem spezifischem On-Widerstand

Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM 2019 in Kyoto (Japan) vorgestellt hat. Das ist etwa die Hälfte des Wertes von planaren Typen bei gleicher Durchbruchspannung von 1500 V. Möglich machen dies zwei…

Klimadebatte

»How dare you?«

Wie könnt Ihr es wagen? Zugegeben, es war sehr berührend als Greta Thunberg sinngemäß mit…

Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

Power Integrations

110-W-LED-Treiber mit GaN-Technologie

Nachdem Power Integrations Ende Juli 2019 ihren ersten GaN-Chip vorgestellt hat, legt das…

Polnisches Institut für Kernphysik

SiC-Kristalldefekte modellieren

Kristalldefekte verändern die Eigenschaften des Gesamtmaterials und begrenzen damit dessen…

Ferdinand-Braun-Institut

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei…

Cree und ON Semiconductor

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat…

Showa Denko / SiC-Epitaxiewafer

Defektdichte halbiert

»HGE-2G« heißt die zweite Generation von hochwertigen 150-mm-Epitaxiewafern aus…

3. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätiges Kongressprogramm

Mit einem Quartett hochkarätiger Keynote-Speaker wartet das diesjährige…

Mit 420 Chips von Infineon

TU München gewinnt Hyperloop-Wettbewerb

463 km/h hat der Hyperloop-Pod der TU München erreicht – ausgestattet mit nicht weniger…