Leistungshalbleiter

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der Leistungselektronik. Nun ist Forschern des Fraunhofer IAF das bislang Unmögliche gelungen – die Herstellung dieses Materials per metallorganischer chemischer…

Semikron setzt auf E-Mobility

»Die Strategie steht, nun wird sie konsequent umgesetzt«

Neben der traditionellen Industrieelektronikausrichtung wird sich Semikron in Zukunft auch…

Elektromobilität

Bosch setzt auf Siliziumkarbid

Neuartige Mikrochips aus Siliziumkarbid sollen Elektroautos künftig länger rollen lassen.…

Cornell University / Galliumnitrid

Effizientes zweidimensionales Löchergas machbar

Heutige GaN-Leistungstransistoren leiten Ströme mithilfe eines zweidimensionalen…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2019

Trench-SiC-MOSFET mit niedrigstem spezifischem On-Widerstand

Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM…

Klimadebatte

»How dare you?«

Wie könnt Ihr es wagen? Zugegeben, es war sehr berührend als Greta Thunberg sinngemäß mit…

Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

Power Integrations

110-W-LED-Treiber mit GaN-Technologie

Nachdem Power Integrations Ende Juli 2019 ihren ersten GaN-Chip vorgestellt hat, legt das…

Polnisches Institut für Kernphysik

SiC-Kristalldefekte modellieren

Kristalldefekte verändern die Eigenschaften des Gesamtmaterials und begrenzen damit dessen…

Ferdinand-Braun-Institut

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei…